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中科仪(广州)半导体设备有限责任公司王光玉获国家专利权

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龙图腾网获悉中科仪(广州)半导体设备有限责任公司申请的专利一种应用于半导体尾气处理设备的燃烧反应腔结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120488281B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510740115.2,技术领域涉及:F23G7/06;该发明授权一种应用于半导体尾气处理设备的燃烧反应腔结构是由王光玉;陶显贵;孔祥玲;许明;秦柏林;李利争;姚俊杰;施赛杰;刘江设计研发完成,并于2025-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。

一种应用于半导体尾气处理设备的燃烧反应腔结构在说明书摘要公布了:本发明属于半导体废气处理技术领域,具体地说是一种应用于半导体尾气处理设备的燃烧反应腔结构,包括上盖、燃烧器、废气接管、上级反应筒体、中级反应筒体、下级反应筒体、内收口筒体,上级反应筒体连通有若干个进水管A的一端,中级反应筒体连通有若干个进水管B的一端。本发明可使气体及燃烧器的火焰发出端发出的火焰先经过内收口筒体进入中级反应筒体的内腔,再进入下级反应筒体,使得气体经过口径相对较小的内收口筒体时,靠近内收口筒体内壁的气体也都能被充分可靠受热燃烧;且可形成两级溢流水幕,更有效通过水流带走粉尘或其他颗粒副产物等,降低发生堵塞的风险,延长设备维护周期,提高生产效率。

本发明授权一种应用于半导体尾气处理设备的燃烧反应腔结构在权利要求书中公布了:1.一种应用于半导体尾气处理设备的燃烧反应腔结构,包括上盖001、燃烧器002、废气接管003,所述燃烧器002设置于所述上盖001的中部,所述上盖001上且在所述燃烧器002的外周均匀设有若干个所述废气接管003的下端,各所述废气接管003的上端分别位于所述上盖001的上方,其特征在于:还包括上级反应筒体1、中级反应筒体2、下级反应筒体3、内收口筒体4; 所述上级反应筒体1的顶部开口,所述上级反应筒体1的顶部固接于所述上盖001的下侧面,所述燃烧器002的火焰发出端及各所述废气接管003的下端分别与所述上级反应筒体1的内腔相连通,所述上级反应筒体1的底部开设有内收口筒体安装口; 所述中级反应筒体2的顶部开口,所述中级反应筒体2的顶部固接于所述上级反应筒体1的下侧面上,所述中级反应筒体2的底部开设有下级反应筒体安装口; 所述下级反应筒体3的外周面固接于下级反应筒体安装口处,所述下级反应筒体3的上下两端均开口,所述下级反应筒体3的上端开口高于所述中级反应筒体2的内腔底面,所述下级反应筒体3的下端开口位于所述中级反应筒体2的下方; 所述内收口筒体4的外周面固接于所述内收口筒体安装口处,所述内收口筒体4的上下两端均开口,所述内收口筒体4的上端开口高于所述上级反应筒体1的内腔底面、并与所述燃烧器002的火焰发出端的设置位置上下相对应,所述内收口筒体4的下端开口延伸至所述中级反应筒体2的内腔中,所述内收口筒体4的内径大小小于所述下级反应筒体3的内径大小; 所述上级反应筒体1连通有若干个进水管A5的一端,所述中级反应筒体2连通有若干个进水管B6的一端。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中科仪(广州)半导体设备有限责任公司,其通讯地址为:510700 广东省广州市黄埔区连云路8号12栋101房(部位 : 104房、405房);或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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