中航光电科技股份有限公司牛文龙获国家专利权
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龙图腾网获悉中航光电科技股份有限公司申请的专利一种高速探测器芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120500122B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510972537.2，技术领域涉及：H10F30/21；该发明授权一种高速探测器芯片及其制作方法是由牛文龙;左朋莎;崔欣悦设计研发完成，并于2025-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高速探测器芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件技术领域，具体是一种高速探测器芯片及其制作方法，包括衬底、形成在衬底上的外延结构、形成在外延结构表面的钝化层，外延结构从下至上依次包括缓冲层、N‑接触层、电容扩展层、势垒过渡层Ⅰ、无掺杂吸收层、势垒过渡层Ⅱ、窗口层、势垒过渡层Ⅲ、P‑接触层，势垒过渡层Ⅱ、窗口层、势垒过渡层Ⅲ、P‑接触层中形成有扩散区；N‑接触层上形成有N电极接触金属，P‑接触层上形成有P电极接触金属，势垒过渡层Ⅲ上表面的钝化层设置有台阶结构，P电极接触金属上表面和台阶结构上表面还设有加厚金属层。本发明芯片结构简单，在扩散区和非扩散区交界处不易发生击穿，不需要制作透镜、不需要双面光刻，制作工艺简单。
本发明授权一种高速探测器芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高速探测器芯片，其特征在于，包括衬底1、形成在衬底上的外延结构、形成在外延结构表面的钝化层11，所述外延结构从下至上依次包括缓冲层2、N-接触层3、电容扩展层4、势垒过渡层Ⅰ5、无掺杂吸收层6、势垒过渡层Ⅱ7、窗口层8、势垒过渡层Ⅲ9、P-接触层10，势垒过渡层Ⅱ、窗口层、势垒过渡层Ⅲ、P-接触层中形成有扩散区12；电容扩展层材质为InP，掺杂浓度为1E15~1E17cm-3；势垒过渡层Ⅲ为InGaAsP四元材料，掺杂浓度为5E18~1E19cm-3；N-接触层上形成有N电极接触金属13，P-接触层上形成有P电极接触金属14，所述的P-接触层为环形；势垒过渡层Ⅲ上表面的钝化层设置有台阶结构，该台阶结构位于P-接触层的外侧且位于势垒过渡层Ⅲ非扩散区的上表面，P电极接触金属和台阶结构的上表面还设有加厚金属层17。
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