深圳市章阁仪器有限公司张隆庆获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市章阁仪器有限公司申请的专利一种三维存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120512891B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510993799.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种三维存储器及其制备方法是由张隆庆设计研发完成，并于2025-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：一种三维存储器及其制备方法、电子装置，该制备方法包括：在底部导线层上形成叠层结构，叠层结构包括交替堆叠的多个牺牲层和多个介电层；刻蚀叠层结构，以形成露出底部导线层的电容孔；在电容孔的底部和侧壁上形成第一保护层；沿电容孔的深度方向对第一保护层进行离子注入，以对位于电容孔底部的第一保护层进行改性；采用湿法刻蚀工艺去除位于电容孔底部的改性后的第一保护层，露出电容孔下方的底部导线层，湿法刻蚀工艺在改性后的第一保护层与未改性的第一保护层之间的刻蚀选择比大于预设阈值。本申请能够避免在刻蚀电容孔底部的第一保护层时对下方的底部导线层造成损伤。
本发明授权一种三维存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 在底部导线层上形成叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的多个牺牲层和多个介电层； 刻蚀所述叠层结构，以形成露出所述底部导线层的电容孔； 在所述叠层结构的上表面选择性生长第二保护层，所述第二保护层在所述电容孔的开口处形成有悬突；在所述电容孔的底部和侧壁上形成第一保护层，所述第一保护层覆盖所述第二保护层； 沿所述电容孔的深度方向对所述第一保护层进行离子注入，以对位于所述第二保护层上方和位于所述电容孔底部的所述第一保护层进行改性，所述改性包括通过所述离子注入使得位于所述电容孔底部的所述第一保护层被损伤或掺杂； 采用湿法刻蚀工艺去除位于所述第二保护层上方和位于所述电容孔底部的改性后的第一保护层，露出所述电容孔下方的所述底部导线层，所述湿法刻蚀工艺在改性后的所述第一保护层与未改性的所述第一保护层之间的刻蚀选择比大于预设阈值。
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