龙焱能源科技(杭州)股份有限公司胡安红获国家专利权
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龙图腾网获悉龙焱能源科技(杭州)股份有限公司申请的专利碲硒化镉薄膜近空间升华沉积方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120519822B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511038702.3，技术领域涉及：C23C16/30；该发明授权碲硒化镉薄膜近空间升华沉积方法及设备是由胡安红;周洁;杨耀辉;胡文化;吴奔;吴选之设计研发完成，并于2025-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本碲硒化镉薄膜近空间升华沉积方法及设备在说明书摘要公布了：本发明涉及光伏电池技术领域，公开了碲硒化镉薄膜近空间升华沉积方法及设备，其中碲硒化镉薄膜近空间升华沉积方法，包括：利用硒化镉加热室对硒化镉原料进行加热，加热温度为T1，得到第一气态反应前驱体；利用碲化镉加热室对碲化镉原料进行加热，加热温度为T2，满足T1T2，得到第二气态反应前驱体；利用第一出气管将第一气态反应前驱体引入混合室，利用第二出气管将第二气态反应前驱体引入混合室，在混合室内得到混合气体；利用连接管将混合气体输送至喷口处，通过喷口喷向基板，以在基板表面形成碲硒化镉薄膜。本发明采用硒化镉和碲化镉二元合金进行近空间升华沉积，能够显著提升碲硒化镉薄膜的稳定性，从而提升电池的光电转换效率。
本发明授权碲硒化镉薄膜近空间升华沉积方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种碲硒化镉薄膜近空间升华沉积方法，其特征在于，包括： 响应于沉积请求，利用硒化镉加热室102对硒化镉原料4进行加热，加热温度为T1，得到气态硒、气态镉以及气态硒化镉混合的第一气态反应前驱体； 同时，利用碲化镉加热室103对碲化镉原料5进行加热，加热温度为T2，满足T1T2，得到气态碲、气态镉以及气态碲化镉混合的第二气态反应前驱体； 利用第一出气管105将所述第一气态反应前驱体引入混合室104，以及利用第二出气管106将所述第二气态反应前驱体引入所述混合室104，在所述混合室104内得到混合气体； 利用连接管107将所述混合气体输送至喷口108处，通过所述喷口108喷向基板2，以在所述基板2表面形成碲硒化镉薄膜3。
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