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龙图腾网获悉通威太阳能(成都)有限公司申请的专利太阳电池及光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120614880B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511086844.7，技术领域涉及：H10F10/14；该发明授权太阳电池及光伏组件是由周映林;何宇;孟夏杰;余斌;杨波设计研发完成，并于2025-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本太阳电池及光伏组件在说明书摘要公布了：本申请涉及光伏发电技术领域，尤其涉及一种太阳电池及光伏组件。太阳电池包括：基底、图形化的掺杂硅层、钝化层和电极，掺杂硅层位于基底与钝化层之间；掺杂硅层包括沿第一方向连接设置的具有第一厚度的第一子层和具有第二厚度的第二子层，第一厚度大于第二厚度，第二厚度大于等于0μm；第一子层与第二子层的交界处在基底上的正投影为分界线，分界线包括若干连接的单元，单元包括凸起单元和或凹陷单元；凸起单元的凸出方向沿第二方向，且凸起单元的凸起形状为非尖角形状；凹陷单元的凹陷方向沿第二方向，且凹陷单元的凹陷形状为非尖角形状；第二方向与电极的长度方向相交；电极穿过钝化层与第一子层接触。

本发明授权太阳电池及光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池包括： 基底； 图形化的掺杂硅层，设于所述基底的表面；其中，所述掺杂硅层由沿第一方向连接设置的具有第一厚度的第一子层和具有第二厚度的第二子层组成，所述第一厚度大于所述第二厚度，所述第二厚度大于或者等于0μm；所述第一方向为所述基底的平面方向；其中，所述第二厚度大于0μm时，所述第一子层与所述第二子层具有相同的导电类型，所述第二厚度等于0μm时，所述掺杂硅层仅为所述第一子层； 钝化层，设于所述基底的表面，所述掺杂硅层位于所述基底与所述钝化层之间； 电极，所述电极穿过所述钝化层与所述第一子层接触； 其中，所述第一子层与所述第二子层的交界处在所述基底上的正投影为分界线，所述分界线包括若干相连接的单元，所述单元包括凸起单元和或凹陷单元；所述分界线包括所述凸起单元时，所述凸起单元的凸出方向沿第二方向，且所述凸起单元的凸起形状为非尖角形状；所述分界线包括所述凹陷单元时，所述凹陷单元的凹陷方向沿所述第二方向，且所述凹陷单元的凹陷形状为非尖角形状；所述第二方向为与所述电极的长度方向相交的方向； 对应于任一所述电极，所述分界线包括位于所述电极两侧的第一分界线和第二分界线，所述单元包括位于所述第一分界线的第一单元和位于所述第二分界线的第二单元；沿所述电极的长度方向上，所述第一单元的最远两点之间的跨度为L3，50μm≤L3≤700μm；沿所述电极的长度方向上，所述第二单元的最远两点之间的跨度为L4，20μm≤L4≤700μm。

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