杭州镓仁半导体有限公司夏宁获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉杭州镓仁半导体有限公司申请的专利一种P型β-Ga2O3单晶薄膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120666438B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511134397.8，技术领域涉及：C30B25/20；该发明授权一种P型β-Ga2O3单晶薄膜及其制备方法和应用是由夏宁;李成设计研发完成，并于2025-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种P型β-Ga2O3单晶薄膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种P型β‑Ga2O3单晶薄膜及其制备方法和应用，属于氧化镓材料技术领域。本发明在β‑Ga2O3单晶衬底的表面进行气相外延薄膜生长，得到所述P型β‑Ga2O3单晶薄膜，所述气相外延薄膜生长的过程中以氮气为载气，以氮氧化物为氧化剂。在气相外延薄膜生长的过程中，N元素在氧化镓晶体中处于热力学不稳定状态，易从氧化镓晶体中挥发走，因此将载气换成氮气后，增加了环境中的N元素的浓度，抑制了氧化镓薄膜中N元素的挥发，从而提升了N掺杂的效率，本发明以氮氧化物为氧化剂，结合以氮气为载气，共同作用，提高了P型β‑Ga2O3单晶薄膜的氮掺杂浓度。
本发明授权一种P型β-Ga2O3单晶薄膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种P型β-Ga2O3单晶薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在β-Ga2O3单晶衬底的表面进行气相外延薄膜生长，得到所述P型β-Ga2O3单晶薄膜，所述气相外延薄膜生长的过程中以氮气为载气，以氮氧化物为氧化剂；所述氮气的流量为100~5000sccm； 所述气相外延薄膜生长为金属有机气相外延法或卤化物气相外延法； 所述金属有机气相外延法的条件包括：生长温度为550~1200℃，压力为10~100mbar，以三甲基镓为镓源，所述三甲基镓的流量为10~150sccm，氮氧化物的流量为1000~10000sccm； 所述卤化物气相外延法的条件包括：生长温度为600~1200℃，生长压力为10~500Torr，HCl流量为10~150sccm，氮氧化物的流量为100~5000sccm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州镓仁半导体有限公司，其通讯地址为：311231 浙江省杭州市萧山区经济技术开发区萧山机器人小镇389号1幢南侧101室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励