南京沁恒微电子股份有限公司王春华获国家专利权
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龙图腾网获悉南京沁恒微电子股份有限公司申请的专利一种耐高压的eUSB中继芯片及其工作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120687395B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511198695.3，技术领域涉及：G06F13/40；该发明授权一种耐高压的eUSB中继芯片及其工作方法是由王春华设计研发完成，并于2025-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种耐高压的eUSB中继芯片及其工作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种耐高压的eUSB中继芯片及其工作方法，包括eUSB驱动器、状态机和控制模块、USB驱动器、耐高压模块，所述耐高压模块连接在USB驱动器与对外USB端口之间；所述耐高压模块包括第一高压NMOS、第二高压NMOS及栅极驱动模块，第一高压NMOS的漏端连接对外USB端口的UD+，第一高压NMOS的源端连接USB驱动器的D+端，第二高压NMOS的漏端连接对外USB端口的UD‑，第二高压NMOS的源端连接USB驱动器的D‑端。本发明的eUSB中继芯片可以承受意外触碰和瞬时高压，具有集成度高、可靠性高、成本低、体积小、低功耗等效果。
本发明授权一种耐高压的eUSB中继芯片及其工作方法在权利要求书中公布了：1.一种耐高压的eUSB中继芯片，包括eUSB驱动器、状态机和控制模块、USB驱动器，其特征在于，还包括耐高压模块，所述耐高压模块连接在USB驱动器与对外USB端口之间；所述耐高压模块包括第一高压NMOS、第二高压NMOS及栅极驱动模块，第一高压NMOS的漏端连接对外USB端口的UD+，第一高压NMOS的源端连接USB驱动器的D+端，第二高压NMOS的漏端连接对外USB端口的UD-，第二高压NMOS的源端连接USB驱动器的D-端；第一高压NMOS、第二高压NMOS的额定栅端工作电压为3V~5.5V。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京沁恒微电子股份有限公司，其通讯地址为：210012 江苏省南京市雨花台区宁双路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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