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龙图腾网获悉蓝河科技(绍兴)有限公司申请的专利一种寄生碳化硅的去除方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120719389B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511203858.2，技术领域涉及：C30B25/02；该发明授权一种寄生碳化硅的去除方法是由刘永明;梁新华;周慧娟设计研发完成，并于2025-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种寄生碳化硅的去除方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种寄生碳化硅的去除方法，包括采用甲硅烷和含氢气和氟化氢气体的无氧清洁气体，保持清洁腔室内的清洁温度不低于1300摄氏度，清洁压力不低于100mbar下去除寄生碳化硅，有利于提升清洁速率。利用氢气对氟化氢气体起到稀释作用，同时兼顾了清洁效率，有利于防止过刻蚀。甲硅烷分解产生的硅物种能够与氟生成气态四氟化硅，以及吸附在清洁后露出的石墨基本体表面，减少氟化氢气体对清洁后露出的石墨基本体表面的显著损伤。在清洁后期，将通入甲硅烷切换为通入丙烷改善由于甲硅烷的通入使得清洁腔室内形成的富硅气氛，减轻或避免吸附在石墨基本体表面的硅物种难以为吹扫气体流场所带走，使外延片表面出现明显的团簇现象问题。

本发明授权一种寄生碳化硅的去除方法在权利要求书中公布了：1.一种寄生碳化硅的去除方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：获取通过氟化氢气体在清洁温度和清洁压力下，对形成有寄生碳化硅的参考石墨件进行清洁处理的参考刻蚀时长，所述清洁温度不低于1300℃，所述清洁压力不低于100mbar； S2：将形成有寄生碳化硅的待清洁石墨件放置于清洁腔室中，所述待清洁石墨件生长有寄生碳化硅的表面暴露于所述清洁腔室内环境中，并控制所述清洁腔室内达到所述清洁温度及所述清洁压力； S3：向所述清洁腔室内通入甲硅烷以及含所述氟化氢气体和氢气的无氧清洁气体，控制所述氢气和氟化氢气体的流量比介于10:1~50:1，所述氟化氢气体和甲硅烷的流量比介于10:1~100:1，以及通入所述甲硅烷和所述无氧清洁气体的第一时长小于所述参考刻蚀时长且不低于所述参考刻蚀时长的70%； S4：控制通入所述无氧清洁气体的流量不变，停止通入所述甲硅烷，向所述清洁腔室通入丙烷，控制通入所述无氧清洁气体和所述丙烷的第二时长小于所述第一时长。

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