合肥晶合集成电路股份有限公司耿康康获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120727565B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511186831.7，技术领域涉及：H01L21/266；该发明授权一种半导体结构及其制造方法是由耿康康设计研发完成，并于2025-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其制造方法，具体涉及半导体领域。所述制造方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底内形成有若干浅沟槽隔离结构，相邻所述浅沟槽隔离结构之间的衬底为有源区，所述有源区上覆盖有垫氧化层；在所述衬底上形成第一图形化的光阻层，所述第一图形化的光阻层暴露所述有源区上的垫氧化层；以所述第一图形化的光阻层为掩膜，向所述有源区进行硅离子注入，以在所述有源区的表层形成非晶硅层；去除所述第一图形化的光阻层。本发明通过硅离子注入的方式使有源区的表层非晶化，形成非晶硅层，可以有效缓解STI对沟道的压应力，提升器件的性能。
本发明授权一种半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供衬底，所述衬底内形成有若干浅沟槽隔离结构，相邻所述浅沟槽隔离结构之间的衬底为有源区，所述有源区上覆盖有垫氧化层； 在所述衬底上形成第一图形化的光阻层，所述第一图形化的光阻层暴露所述有源区上的垫氧化层； 以所述第一图形化的光阻层为掩膜，向所述有源区进行硅离子注入，以在所述有源区的表层形成非晶硅层； 去除所述第一图形化的光阻层； 其中，在所述衬底上形成第一图形化的光阻层的步骤，包括： 在所述衬底上旋涂光刻胶，形成光刻胶层，所述光刻胶与形成所述浅沟槽隔离结构时光刻涂覆的光刻胶相反； 采用形成所述浅沟槽隔离结构时的光罩对所述光刻胶层进行曝光、显影，形成暴露所述垫氧化层的第一图形化的光阻层； 向所述有源区进行硅离子注入之后，还包括退火处理，所述退火处理的温度为300~450℃。
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