合肥晶合集成电路股份有限公司陈鹏飞获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730765B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511214140.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件制备方法及半导体器件是由陈鹏飞;李芹;张旭;林祐丞设计研发完成，并于2025-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体器件制备方法及半导体器件，所述方法包括下列步骤：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，其中，所述第一区域用于在其上形成栅极，所述第二区域用于形成源漏区；在所述衬底上形成牺牲层；蚀刻所述牺牲层以形成凹槽，所述凹槽的底部露出所述衬底的第一区域；依次形成栅极侧墙和栅极，所述栅极侧墙覆盖所述凹槽的侧壁，所述栅极填充所述凹槽；灰化去除所述牺牲层，以露出所述衬底的第二区域；执行离子注入工艺，以在所述第二区域形成源漏区。通过在衬底上形成牺牲层，在形成栅极侧墙与栅极的过程中，牺牲层始终覆盖用于形成源漏区的衬底区域，避免了刻蚀工艺对衬底造成损伤，提高了半导体器件的性能。
本发明授权半导体器件制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括下列步骤： 提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，其中，所述第一区域用于在其上形成栅极，所述第二区域用于形成源漏区； 在所述衬底上形成牺牲层； 蚀刻所述牺牲层以形成凹槽，所述凹槽的底部露出所述衬底的第一区域； 依次形成栅极侧墙和栅极，所述栅极侧墙覆盖所述凹槽的侧壁，所述栅极填充所述凹槽； 灰化去除所述牺牲层，以露出所述衬底的第二区域； 执行离子注入工艺，以在所述第二区域形成源漏区； 所述蚀刻所述牺牲层以形成凹槽包括： 执行纵向干法刻蚀，以在所述牺牲层中形成第一凹槽，所述第一凹槽的底部露出所述衬底的第一区域，所述第一凹槽的侧壁竖直； 执行横向干法刻蚀，以使所述第一凹槽的侧壁倾斜，形成底部面积大于上部开口面积的所述凹槽。
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