安徽大学;合肥晶合集成电路股份有限公司李亮获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉安徽大学;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730793B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511234762.2，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权半导体器件及其制造方法是由李亮;刘乃硕设计研发完成，并于2025-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供基底，所述基底上形成有半导体结构，所述半导体结构包括栅介质层和形成于所述栅介质层上的牺牲层；对所述半导体结构进行去耦等离子氮化处理，处理后的所述半导体结构的氮元素含量高于处理前的所述半导体结构的氮元素含量；对处理后的所述半导体结构进行大质量离子注入工艺，以将所述牺牲层内氮元素推入所述栅介质层；去除所述牺牲层。本申请减少或避免氮元素向基底内扩散的情况，避免了因氮元素扩散入基底并对后续进行离子注入工艺的元素扩散和沟道迁移率造成负面影响，有效控制了工艺制程中的热预算，从而减少或避免栅介质层中出现结晶现象的风险，提升了工艺稳定性。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上形成有半导体结构，所述半导体结构包括栅介质层和形成于所述栅介质层上的牺牲层； 对所述半导体结构进行去耦等离子氮化处理，处理后的所述半导体结构的氮元素含量高于处理前的所述半导体结构的氮元素含量； 对处理后的所述半导体结构进行大质量离子注入工艺，以将所述牺牲层内氮元素推入所述栅介质层； 去除所述牺牲层； 其中，所述大质量离子注入工艺采用的大质量离子对应的相对原子质量范围为39.95AMU~121.76AMU。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安徽大学;合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市蜀山区九龙路111号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励