合肥晶合集成电路股份有限公司运广涛获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件制作方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730802B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511140902.X，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体器件制作方法及半导体器件是由运广涛;苏圣哲;罗钦贤;赫文振;周纪设计研发完成，并于2025-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件制作方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件制作方法及半导体器件，该方法包括：在伪栅沉积层上形成应力抵消层和变性处理阻挡层，得到第一半导体器件；以伪栅沉积层的顶部伪栅平台的顶面为化学机械抛光停止层对第一半导体器件进行第一化学机械抛光，得到第二半导体器件；对第二半导体器件的顶部伪栅平台进行材料变性处理，得到第三半导体器件；以伪栅沉积层的顶部为化学机械抛光停止层对第三半导体器件进行第二化学机械抛光，得到第四半导体器件，其中第四半导体器件相比于第一半导体器件，其伪栅沉积层的高度差得到降低。利用本申请提供的方案，能够改善伪栅表面平整度，有利于改善氮化硅残留情况和减少栅极高度损失，提升半导体器件的性能。
本发明授权半导体器件制作方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件制作方法，其特征在于，包括： 在伪栅沉积层上形成应力抵消层和变性处理阻挡层，得到第一半导体器件；所述伪栅沉积层在不同区域具有不同的高度，形成至少一个伪栅台阶；所述第一半导体器件的应力抵消层完全覆盖所述伪栅沉积层的表面； 以所述伪栅沉积层的最高伪栅台阶的顶面为化学机械抛光停止层对所述第一半导体器件进行第一化学机械抛光，得到第二半导体器件；所述第二半导体器件的应力抵消层覆盖最高伪栅台阶的侧面； 对所述第二半导体器件的最高伪栅台阶进行材料变性处理，得到第三半导体器件； 以所述第三半导体器件的伪栅沉积层的最顶部为化学机械抛光停止层对所述第三半导体器件进行第二化学机械抛光，得到第四半导体器件，其中第四半导体器件相比于第一半导体器件，其伪栅沉积层的高度差得到降低。
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