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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利背照式图像传感器及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730852B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511159111.1，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权背照式图像传感器及其制备方法、电子设备是由陈维邦设计研发完成，并于2025-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本背照式图像传感器及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种背照式图像传感器制备方法、背照式图像传感器及电子设备，包括：提供衬底，衬底内包括经由衬底的第一表面朝向衬底内延伸，且沿平行于第一表面的第一方向间隔排布的多个第一隔离结构；于第一表面上形成第一SiP层，以及沿朝向衬底的第二方向贯穿第一SiP层，且与第一隔离结构连接的第二隔离结构；形成位于相邻第二隔离结构之间的沟槽，以及填满沟槽，且覆盖第一SiP层和第二隔离结构顶面的SiAs材料层；于SiAs材料层内形成与第二隔离结构连接的第三隔离结构，以及位于第三隔离结构之间沿第一方向间隔分布的多个第二SiP层；剩余SiAs材料层用于构成SiAs层。该方法能够简化工艺流程，增加器件内光生载流子数目，提高其量子效率。

本发明授权背照式图像传感器及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种背照式图像传感器制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底内包括经由所述衬底的第一表面朝向所述衬底内延伸，且沿平行于所述第一表面的第一方向间隔排布的多个第一隔离结构； 于所述第一表面上形成第一SiP层，以及沿朝向所述衬底的第二方向贯穿所述第一SiP层，且与所述第一隔离结构连接的第二隔离结构；所述第二隔离结构为后于所述第一SiP层制备且一体成型； 形成位于相邻所述第二隔离结构之间的第一沟槽，以及填满所述第一沟槽，且覆盖所述第一SiP层和所述第二隔离结构顶面的SiAs材料层； 于所述SiAs材料层内形成与所述第二隔离结构连接的第三隔离结构，以及位于所述第三隔离结构之间沿所述第一方向间隔分布的多个第二沟槽后，于所述第二沟槽内形成第二SiP层；剩余所述SiAs材料层用于构成SiAs层；其中，形成所述第二沟槽时，所述第一沟槽内剩余的SiAs材料层用于构成第一SiAs层，所述第二沟槽外剩余的SiAs材料层用于构成第二SiAs层； 于所述第三隔离结构顶面形成格栅，以及位于所述格栅之间沿背离所述衬底的方向依次层叠的SiP盖层、滤光片； 其中，SiP用于表征掺杂有磷P的硅材料；SiAs用于表征掺杂有砷As的硅材料。

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