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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种微型发光二极管阵列转移方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730903B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511164025.X，技术领域涉及：H10H29/03；该发明授权一种微型发光二极管阵列转移方法是由王新强;陈兆营;王岩;袁泽兴;马超凡设计研发完成，并于2025-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微型发光二极管阵列转移方法在说明书摘要公布了：本发明属于微型发光二极管显示技术领域，提供了一种微型发光二极管阵列转移方法，包括：微型发光二极管外延结构制备、P型电极层阵列制备、微型发光二极管台面阵列刻蚀、衬底台面阵列刻蚀、第一键合层和第二键合层制备、转移基板键合、外延衬底分离、缓冲层刻蚀、N型电极层制备、第三键合层制备以及转移基板切割；本发明通过使用深刻蚀工艺在外延衬底内部形成腐蚀液通道，有助于外延衬底与微型发光二极管台面阵列的快速剥离，提高了微型发光二极管的转移效率。

本发明授权一种微型发光二极管阵列转移方法在权利要求书中公布了：1.一种微型发光二极管阵列转移方法，其特征在于，包括： 提供外延衬底，并在所述外延衬底上依次制备缓冲层、N型导电层、发光层、P型导电层，得到微型发光二极管外延结构； 在所述微型发光二极管外延结构的所述P型导电层的表面制备P型电极层阵列；所述P型电极层阵列包括若干个彼此相隔的P型电极层子阵列；所述P型电极层子阵列包括若干个彼此相隔的P型电极层单元；所述P型电极层子阵列的间隔区域的宽度范围为0.01mm到10mm；所述P型电极层单元的尺寸范围为0.1μm到1000μm、间距范围为0.1μm到1000μm； 刻蚀去除所述P型电极层单元的间隔区域的所述P型导电层、所述发光层、所述N型导电层、所述缓冲层，得到柱状的微型发光二极管台面阵列；所述柱状的微型发光二极管台面阵列包括若干个彼此相隔的微型发光二极管台面子阵列；所述微型发光二极管台面子阵列包括若干个彼此相隔的微型发光二极管台面单元； 利用深刻蚀工艺对所述微型发光二极管台面单元的间隔区域的所述外延衬底表面进行刻蚀，得到柱状的衬底台面阵列；所述柱状的衬底台面阵列包括若干个彼此相隔的衬底台面子阵列；所述衬底台面子阵列包括若干个彼此相隔的衬底台面单元；所述衬底台面子阵列的间隔区域形成腐蚀液主通道；所述衬底台面单元的间隔区域形成腐蚀液次通道；所述衬底台面阵列的高度范围为0.01μm到1000μm； 在所述P型电极层单元表面制备第一键合层； 提供转移基板，并在所述转移基板上制备第二键合层； 将所述微型发光二极管台面阵列键合在所述转移基板上；所述微型发光二极管台面阵列依次通过所述P型电极层阵列、所述第一键合层、所述第二键合层与所述转移基板连接； 利用腐蚀液腐蚀去除所述衬底台面阵列，并将所述微型发光二极管台面阵列转移到所述转移基板上； 刻蚀去除所述缓冲层，并在所述N型导电层表面依次制备N型电极层、第三键合层； 沿所述微型发光二极管台面子阵列的间隔区域对所述转移基板进行切割，得到键合在所述转移基板上的微型发光二极管台面子阵列。

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