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龙图腾网获悉珠海宝丰堂半导体股份有限公司申请的专利一种全真空的光刻胶去除方法、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120749011B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511135588.6，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权一种全真空的光刻胶去除方法、设备及存储介质是由丁雪苗;赵公魄;赵芝强设计研发完成，并于2025-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种全真空的光刻胶去除方法、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种全真空的光刻胶去除方法、设备及存储介质，方法包括：通过所述晶圆取放单元将待处理晶圆从所述晶圆放置单元移送至所述去胶机构；通过所述去胶机构对所述待处理晶圆进行光刻胶去除后得到目标晶圆；通过所述晶圆取放单元将所述目标晶圆从所述去胶机构移送至所述晶圆放置单元。通过全真空的设备完成晶圆的取放和光刻胶去除，从而避免了在取放晶圆时对进行光刻胶去除的反应腔进行内外气压平衡，以及在去除光刻胶时对反应腔内的空气进行抽真空，保证了晶圆光刻胶去除的连续性，去除效率高，成本低。

本发明授权一种全真空的光刻胶去除方法、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种全真空的光刻胶去除方法，其特征在于，应用于全真空的光刻胶去除设备，所述全真空的光刻胶去除设备包括上下料模块和蚀刻模块，所述上下料模块包括晶圆放置单元和晶圆取放单元，所述晶圆放置单元包括晶圆存放机构和晶圆中转机构，所述晶圆中转机构包括中转装置，所述中转装置包括晶圆放置台和晶圆冷却台，所述晶圆放置台设置有第一晶圆平移组件，所述晶圆冷却台上设置有第二晶圆平移组件，所述晶圆冷却台设置在所述晶圆放置台上方，所述晶圆冷却台用于冷却目标晶圆，晶圆存放机构包括晶圆存放装置、升降装置和视觉装置，所述晶圆存放装置设置有多层存放结构，所述存放结构用于存放待处理晶圆和所述目标晶圆，所述蚀刻模块包括至少两个去胶单元，所述去胶单元包括去胶机构和抽真空装置，所述抽真空装置用于持续对所述去胶机构进行抽真空，所述晶圆放置单元、所述晶圆取放单元和所述去胶机构均处于真空环境且互相连通，所述全真空的光刻胶去除方法包括： 通过所述视觉装置获取所述晶圆存放装置的晶圆存放信息和装置位置信息，所述晶圆存放信息表征所述待处理晶圆在所述晶圆存放装置中的存储位置和存储数量，所述装置位置信息指示所述晶圆存放装置的空间位置； 根据所述晶圆存放信息确定所述晶圆存放装置的第一目标位置信息； 根据所述第一目标位置信息和所述装置位置信息确定所述升降装置的第一升降信息； 根据所述第一升降信息控制所述升降装置，以使所述晶圆存放装置位于所述第一目标位置信息所指示的空间位置，且所述晶圆存放装置中最上层的所述待处理晶圆与所述晶圆放置台处于同一水平面； 通过所述第一晶圆平移组件将所述晶圆存放装置中最上层的所述待处理晶圆移送至所述晶圆放置台； 通过所述晶圆取放单元将待处理晶圆从所述晶圆放置单元的所述晶圆放置台移送至所述去胶机构； 通过所述去胶机构对所述待处理晶圆进行光刻胶去除后得到目标晶圆； 通过所述晶圆取放单元将所述目标晶圆从所述去胶机构移送至所述晶圆放置单元的所述晶圆冷却台； 通过所述视觉装置获取所述晶圆存放装置中目标结构的结构位置信息，所述目标结构表征位于最上层且空闲的所述存放结构； 根据所述结构位置信息确定所述升降装置的第二升降信息； 根据所述第二升降信息控制所述升降装置，以使所述目标结构与所述晶圆冷却台处于同一水平面； 通过所述第二晶圆平移组件将所述晶圆冷却台的所述目标晶圆移至所述目标结构进行存放。

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