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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体测试结构及其测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120749105B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511172698.X，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权一种半导体测试结构及其测试方法是由李宁;冯玲;陈依柏;王祖明;张大康设计研发完成，并于2025-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体测试结构及其测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体测试结构及其测试方法，属于半导体领域。测试结构包括：至少两层金属层，设置在衬底上，且金属层至少包括下层金属层和上层金属层，下层金属层靠近衬底设置，至少包括测试区、检验区、对照区和参考区，检验区设置在测试区和对照区之间，参考区设置在测试区、检验区和对照区的一侧，上层金属层设置在测试区、对照区和参考区上；金属插塞，设置在上层金属层和下层金属层之间；第一焊盘，设置在参考区上的上层金属层上；第二焊盘，设置在测试区上的上层金属层上；以及第三焊盘，设置在对照区上的上层金属层上。通过本发明提供的半导体测试结构及其测试方法，能够准确定位半导体结构中漏电缺陷的位置。

本发明授权一种半导体测试结构及其测试方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试结构，其特征在于，至少包括： 衬底； 至少两层金属层，设置在所述衬底上，且所述金属层至少包括下层金属层和上层金属层，所述下层金属层靠近所述衬底设置，至少包括测试区、检验区、对照区和参考区，所述检验区设置在所述测试区和所述对照区之间，所述检验区包括至少一个第一支线、至少一个第二支线和第三支线，所述第一支线设置在所述测试区的一侧，所述第二支线间隔设置在所述第一支线远离所述测试区的一侧，所述第三支线连接所述第一支线和所述第二支线，所述第一支线和所述测试区之间的间距，与所述第二支线和所述对照区之间的间距相等，所述参考区设置在所述测试区、所述检验区和所述对照区的一侧，所述上层金属层设置在所述下层金属层远离所述衬底的一侧上，并包括多个分区，所述分区分别设置在所述测试区、所述对照区和所述参考区上； 金属插塞，设置在所述上层金属层和所述下层金属层之间； 第一焊盘，设置在所述参考区上的所述上层金属层上； 第二焊盘，设置在所述测试区上的所述上层金属层上；以及 第三焊盘，设置在所述对照区上的所述上层金属层上。

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