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龙图腾网获悉珠海格力电子元器件有限公司申请的专利半导体器件的元胞结构、制备方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120751751B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511216766.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件的元胞结构、制备方法和半导体器件是由刘浩文;马万里;闫正坤;谭键文;肖帅设计研发完成，并于2025-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的元胞结构、制备方法和半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件的元胞结构、制备方法和半导体器件，元胞结构包括：基底，多个第一注入区，沿第一方向间隔的位于第一表面下方的基底中，并沿第二方向延伸，第一注入区具有第二掺杂类型；多个第二注入区，沿第二方向间隔的位于第一表面下方的基底中，并沿第一方向延伸，至少两个第二注入区与至少两个第一注入区中的部分在基底的一侧表面上具有第一投影，第一投影为封闭图形，被与第一投影对应的注入区围设的基底设定为第一区域，与第一投影对应的注入区和第一区域构成欧姆单元，第二注入区具有第二掺杂类型；欧姆接触金属层，位于基底上，且与欧姆单元接触，解决了半导体器件无法兼顾较低的正向导通压降和较高的抗浪涌能力的问题。

本发明授权半导体器件的元胞结构、制备方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的元胞结构，其特征在于，包括： 基底，具有第一掺杂类型，所述基底沿器件厚度方向具有第一表面； 多个第一注入区，沿垂直于所述器件厚度方向的第一方向间隔的位于所述第一表面下方的所述基底中，并沿第二方向延伸，所述第一注入区为对部分所述基底的一侧表面进行离子注入形成的区域，所述第一方向与所述第二方向具有夹角，所述第一注入区具有第二掺杂类型； 多个第二注入区，沿所述第二方向间隔的位于所述第一表面下方的所述基底中，并沿所述第一方向延伸，所述第二注入区为对所述基底中的任意相邻所述第一注入区之间的表面进行离子注入形成的区域，至少两个所述第二注入区与至少两个所述第一注入区中的部分在基底的一侧表面上具有第一投影，所述第一投影为封闭图形，被与所述第一投影对应的注入区围设的所述基底设定为第一区域，与所述第一投影对应的所述注入区和所述第一区域构成欧姆单元，所述第二注入区具有所述第二掺杂类型，所述欧姆单元在所述器件厚度方向上具有第一厚度，至少除所述欧姆单元所在的所述第一注入区在所述器件厚度方向上具有第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度； 欧姆接触金属层，位于所述基底上，且与所述欧姆单元接触。

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