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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120751753B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511143685.X，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权一种半导体器件的制作方法是由运广涛;张伟;冯孔孔;苏圣哲;罗钦贤设计研发完成，并于2025-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底，在衬底上形成伪栅极，伪栅极上形成有硬掩膜层；在伪栅极两侧形成侧墙结构；在衬底、侧墙结构和伪栅极上形成接触孔刻蚀停止层，接触孔刻蚀停止层的材料与硬掩膜层的材料相同；在接触孔刻蚀停止层上形成层间介质层，平坦化层间介质层至硬掩膜层剩余预设厚度；氧化硬掩膜层、部分接触孔刻蚀停止层和部分侧墙结构，形成表层氧化层；同步去除表层氧化层和部分层间介质层，伪栅极的表面和两侧的层间介质层的表面齐平；去除伪栅极，形成金属栅极。通过本发明提供的一种半导体器件的制作方法，能够确保形成的金属栅极的高度，且制作工艺简单，可控性高。

本发明授权一种半导体器件的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一衬底，在所述衬底上形成伪栅极，所述伪栅极上形成有硬掩膜层； 在所述伪栅极两侧形成侧墙结构； 在所述衬底、所述侧墙结构和所述伪栅极上形成接触孔刻蚀停止层，所述接触孔刻蚀停止层的材料与所述硬掩膜层的材料相同； 在所述接触孔刻蚀停止层上形成层间介质层；所述层间介质层包括在所述接触孔刻蚀停止层上依次形成的第一层间介质层和第二层间介质层；所述第一层间介质层和所述第二层间介质层为氧化硅，所述第一层间介质层通过高深宽比化学气相沉积获得，所述第二层间介质层通过高密度等离子体化学气相沉积获得，所述第二层间介质层具有压应力； 平坦化所述层间介质层至所述硬掩膜层剩余预设厚度，所述预设厚度为3nm~5nm； 氧化所述硬掩膜层、部分所述接触孔刻蚀停止层和部分所述侧墙结构以获得表层氧化层，所述表层氧化层的厚度相对于所述预设厚度增加了40%~80%；所述第二层间介质层中和形成所述表层氧化层时膨胀产生的侧向应力； 同步去除所述表层氧化层和部分所述层间介质层，所述伪栅极的表面和两侧的所述层间介质层的表面齐平；以及 去除所述伪栅极，形成金属栅极。

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