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龙图腾网获悉荣芯半导体(宁波)有限公司申请的专利一种图像传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120751793B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511263445.3，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权一种图像传感器及其制备方法是由请求不公布姓名;冉春明;李泽逵;吴胜武设计研发完成，并于2025-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种图像传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种图像传感器及其制备方法，包括：提供器件衬底，在器件衬底上形成光电二极管层、第一牺牲层、第一外延层、第二牺牲层和第二外延层；形成贯穿第二外延层、第二牺牲层、第一外延层、第一牺牲层、光电二极管层并延伸至器件衬底中的支撑柱；形成释放沟槽；去除第一牺牲层以形成第一空腔，去除第二牺牲层以形成第二空腔；在第一空腔中形成第一隔离层，第二空腔中形成第一遮光结构；去除支撑柱以形成第二遮光结构；在第二外延层上形成晶体管；形成覆盖第二外延层和晶体管的层间介质层；将支撑衬底和层间介质层相键合。

本发明授权一种图像传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括： 提供器件衬底，在所述器件衬底上依次形成光电二极管层、第一牺牲层、第一外延层、第二牺牲层和第二外延层； 形成贯穿所述第二外延层、所述第二牺牲层、所述第一外延层、所述第一牺牲层、所述光电二极管层并延伸至所述器件衬底中的多个支撑柱； 形成贯穿所述第二外延层、所述第二牺牲层、所述第一外延层、所述第一牺牲层和所述光电二极管层的至少一个释放沟槽； 以所述释放沟槽作为释放通道，刻蚀去除所述第一牺牲层以在所述第一外延层和所述光电二极管层之间形成第一空腔，以及刻蚀去除所述第二牺牲层，以在所述第一外延层和所述第二外延层之间形成第二空腔； 在所述第一空腔中形成第一隔离层，以及在所述第二空腔中形成第一遮光结构； 去除所述支撑柱，以形成隔离沟槽，以及在所述隔离沟槽中形成第二遮光结构； 在所述第二外延层上形成多个晶体管，每个所述晶体管包括形成于所述第二外延层中的漏区； 形成覆盖所述第二外延层和所述多个晶体管的层间介质层； 提供支撑衬底，将所述支撑衬底和所述层间介质层相键合。

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