广东工业大学郑照强获国家专利权
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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种具有单极势垒和偏振敏感的范德华异质结及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120751822B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511164471.0，技术领域涉及：H10F77/12；该发明授权一种具有单极势垒和偏振敏感的范德华异质结及其应用是由郑照强;缪滨洋;蒲作城;全华文;李新琪设计研发完成，并于2025-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有单极势垒和偏振敏感的范德华异质结及其应用在说明书摘要公布了：本发明属于二维材料光电器件技术领域，更具体的说是涉及一种具有单极势垒和偏振敏感的范德华异质结及其应用。本发明通过具有各向异性的p型材料Ta2NiSe5作为底层载流子的收集层，具有各向异性的n型材料ReS2作为上层吸光层，WSe2作为中间势垒层，构建具有单极势垒和偏振敏感的范德华异质结，进而制备得到光电探测器。构建的范德华异质结制成的光电探测器具有低暗电流、高探测率、宽波段、偏振光响应的特性。
本发明授权一种具有单极势垒和偏振敏感的范德华异质结及其应用在权利要求书中公布了：1.一种具有单极势垒和偏振敏感的范德华异质结，其特征在于，具有各向异性的p型材料Ta2NiSe5作为底层载流子的收集层，具有各向异性的n型材料ReS2作为上层吸光层，WSe2作为中间势垒层； 所述Ta2NiSe5的导带底的位置为4.6eV，价带顶的位置为4.93eV； 所述ReS2的导带底的位置为4.5eV，价带顶的位置为5.84eV； 所述WSe2的导带底的位置为3.5eV，价带顶的位置为5eV。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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