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龙图腾网获悉珠海宝丰堂半导体股份有限公司申请的专利一种光刻胶减薄方法、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120767201B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511271215.1，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权一种光刻胶减薄方法、设备及存储介质是由丁雪苗;赵公魄;赵芝强设计研发完成，并于2025-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光刻胶减薄方法、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种光刻胶减薄方法、设备及存储介质，方法包括：通过上下料模块将待处理晶圆从上料位置移送至反应机构；控制生成机构将等离子体输送至反应机构；控制抽真空装置对反应机构进行抽真空处理，以使等离子体均匀蚀刻待处理晶圆表面的第一光刻胶后得到目标晶圆；通过上下料模块将目标晶圆从反应机构移送至下料位置。通过生成机构将生成的等离子体均匀输送至反应机构，且同步控制抽真空装置对反应机构进行抽真空处理，从而使得等离子体均匀蚀刻待处理晶圆表面的第一光刻胶，能够根据需求完成晶圆的光刻胶减薄，且减薄效率高、成本低。

本发明授权一种光刻胶减薄方法、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种光刻胶减薄方法，其特征在于，应用于光刻胶减薄设备，所述光刻胶减薄设备包括上下料模块和蚀刻模块，所述蚀刻模块包括至少一个蚀刻单元，所述蚀刻单元包括光刻胶蚀刻装置和抽真空装置，所述光刻胶蚀刻装置包括生成机构和反应机构，所述生成机构包括电离器、加速器和扩散盘，所述光刻胶减薄方法包括： 通过所述上下料模块将待处理晶圆从上料位置移送至所述反应机构； 控制所述生成机构将生成的等离子体均匀输送至所述反应机构，以使等离子体在所述反应机构内均匀分布；具体包括：通过所述电离器生成浓度均匀的等离子体，并将等离子体输送至所述加速器；通过所述加速器将等离子体加速至预设速度后输送至所述扩散盘；通过所述扩散盘将等离子体均匀扩散至所述反应机构； 所述通过所述扩散盘将等离子体均匀扩散至所述反应机构，包括：获取所述扩散盘的扩散阻力图谱，所述扩散阻力图谱指示所述扩散盘上各个区域的分子扩散阻力；获取等离子体的离子类型和达到所述扩散盘时的离子速度；根据所述离子类型和第一预设关系表确定所述扩散盘上中心区域的第一孔径，所述第一孔径表征所述中心区域上第一扩散孔的直径，所述中心区域与所述加速器的离子输出口相匹配，所述第一预设关系表指示所述离子类型与所述第一孔径的关系；根据所述离子速度和第二预设关系表确定所述扩散盘上中心区域的第一密度，所述第一密度表征所述第一扩散孔的设置密度；根据所述扩散阻力图谱、所述第一密度和所述第一孔径设置第二扩散孔的第二孔径和第二密度，所述第二扩散孔围绕所述中心区域设置，所述第二密度表征所述第二扩散孔的设置密度；通过所述第一扩散孔和所述第二扩散孔将等离子体均匀扩散至所述反应机构； 控制所述抽真空装置对所述反应机构进行抽真空处理，以使等离子体均匀蚀刻所述待处理晶圆表面的第一光刻胶后得到目标晶圆，所述目标晶圆表面的第二光刻胶的平整度大于预设平整度，所述第二光刻胶由所述第一光刻胶蚀刻得到； 通过所述上下料模块将所述目标晶圆从所述反应机构移送至下料位置。

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