珠海格力电子元器件有限公司闫正坤获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海格力电子元器件有限公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120786913B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511280921.2，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权半导体器件是由闫正坤;马万里;刘浩文设计研发完成，并于2025-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件，包括：具有第一表面的基底，基底具有第一掺杂类型；掺杂区，位于基底中，掺杂区具有位于第一表面中的第二表面，掺杂区包括一一对应的多个第一区域和多个第二区域，第一区域和第二区域间隔设置，第一区域和第二区域在第一表面上分别具有第一投影和第二投影，第二投影围设第一投影，第二投影沿其周向是非连续性的，多个第二投影之间相互接触，掺杂区具有第二掺杂类型；阳极金属层，覆盖掺杂区和基底，阳极金属层与至少部分第一区域形成欧姆接触，阳极金属层与基底形成肖特基接触；阴极金属层，位于基底背离掺杂区的一侧，解决了现有技术中半导体器件无法同时具备高浪涌能力和低的导通压降的问题。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 基底，具有第一表面，所述基底具有第一掺杂类型； 掺杂区，位于所述基底中，所述掺杂区具有位于所述第一表面中的第二表面，所述掺杂区包括一一对应的多个第一区域和多个第二区域，所述第一区域和所述第二区域间隔设置，所述第一区域和所述第二区域在所述第一表面上分别具有第一投影和第二投影，所述第二投影围设所述第一投影，所述第二投影沿其周向是非连续性的，相邻的多个所述第二投影之间相互接触，所述掺杂区具有第二掺杂类型；至少一个所述第一区域围设与其形状相对应的所述基底的第三区域； 阳极金属层，覆盖所述掺杂区和所述基底，所述阳极金属层与至少部分所述第一区域形成欧姆接触，所述阳极金属层与所述基底形成肖特基接触； 阴极金属层，位于所述基底背离所述掺杂区的一侧。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海格力电子元器件有限公司，其通讯地址为：519085 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室(集中办公区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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