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蓝河科技(绍兴)有限公司王明辉获国家专利权

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龙图腾网获悉蓝河科技(绍兴)有限公司申请的专利半导体制造设备和温度控制方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120803151B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511277339.0,技术领域涉及:G05D23/30;该发明授权半导体制造设备和温度控制方法是由王明辉;刘雷;邢志刚;黄小辉设计研发完成,并于2025-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

半导体制造设备和温度控制方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种半导体制造设备和温度控制方法,通过在执行外延生长工艺的过程中同步获取各所述基片的当前表面温度,并根据各所述基片的当前表面温度和所述目标设定温度得到各所述基片的当前温差,根据各所述当前温差和所述第一标定关系确定温度异常的目标基片、其所对应的目标间距变化量以及预定调整方向;根据所述目标基片的个数、位置以及与各所述投影标记之间的远近程度确定需要进行升降控制的目标升降机构;控制所述目标升降机构沿所述预定调整方向或所述预定调整方向的反方向运行所述目标间距变化量。本发明能够实时校正基片表面温场均匀性,而且不会干扰正常工艺进程。

本发明授权半导体制造设备和温度控制方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体制造设备的温度控制方法,其特征在于,所述半导体制造设备包括:腔室,具有若干凹槽的基座,设于所述基座下方的加热装置,动密封贯穿所述腔室并连接所述基座的旋转装置,设于所述旋转装置的升降底板,设于所述升降底板并连接腔室底板的若干升降机构以带动所述基座升降,所述升降机构与所述腔室底板连接处朝向所述基座的承载顶面所在平面的正投影为投影标记; 所述温度控制方法包括: S0:获取不同设定温度下,所述基座的温差与所述加热装置和所述基座之间的间距变化量的第一标定关系; S1:将各基片放置于对应各所述凹槽中,控制所述旋转装置带动所述基座旋转,并执行外延工艺流程; 步骤S1执行所述外延工艺流程的过程中,还包括执行以下步骤: S11:获取并根据各所述基片的当前表面温度和目标设定温度得到各所述基片的当前温差,根据各所述当前温差和所述第一标定关系确定温度异常的目标基片、其所对应的目标间距变化量以及预定调整方向; S12:根据所述目标基片的个数、位置以及与各所述投影标记之间的远近程度确定需要进行升降控制的目标升降机构; S13:控制所述目标升降机构沿所述预定调整方向或所述预定调整方向的反方向运行所述目标间距变化量。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人蓝河科技(绍兴)有限公司,其通讯地址为:311800 浙江省绍兴市诸暨市陶朱街道万旺路8号1号楼1楼;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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