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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种考虑磁芯不确定性的纳米晶高频变压器稳健设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120805353B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511309427.4，技术领域涉及：G06F30/17；该发明授权一种考虑磁芯不确定性的纳米晶高频变压器稳健设计方法是由赵文良;魏保禄;丁海波;隋智伟设计研发完成，并于2025-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种考虑磁芯不确定性的纳米晶高频变压器稳健设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种考虑磁芯不确定性的纳米晶高频变压器稳健设计方法，属于高频变压器技术领域，S1、基于多物理场进行纳米晶高频变压器的初始设计；S2、定义纳米晶高频变压器的优化目标并构建相应的稳健优化设计模型；S3、在确定稳健优化设计模型后，采用正交实验设计生成具有代表性的样本点；S4、构建支持向量回归代理模型；S5、通过蒙特卡洛分析来评估设计的不确定性；S6、通过非支配遗传算法‑III获取帕累托前沿，然后进行多目标优化。本发明采用上述的一种考虑磁芯不确定性的纳米晶高频变压器稳健设计方法，通过降低能量损耗、优化热管理和提升结构稳定性，满足新能源、电动汽车等领域需求。

本发明授权一种考虑磁芯不确定性的纳米晶高频变压器稳健设计方法在权利要求书中公布了：1.一种考虑磁芯不确定性的纳米晶高频变压器稳健设计方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、基于多物理场进行纳米晶高频变压器的初始设计； S2、定义纳米晶高频变压器的优化目标并构建相应的稳健优化设计模型； 优化目标包括最小化总损耗、热阻和热点温度； 在稳健优化设计模型中，将噪声因子作为随机变量，并采用特定的统计分布来考虑其变化，通过性能响应的均值和标准差表达目标函数； 噪声因子包括饱和磁通密度偏差、绕组与磁芯距离误差、叠片系数偏差及磁芯圆角尺寸误差； 纳米晶磁芯的饱和磁通密度偏差遵循韦伯分布，表示为ΔBs~Weibull，，其中，ΔBs表示纳米晶磁芯的饱和磁通密度偏差，为饱和磁通密度偏差的尺寸参数，为饱和磁通密度偏差的形状参数，且尺寸参数和形状参数设置为磁芯材料制造公差的13； 绕组与磁芯距离误差和叠片系数偏差遵循正态分布，表示Δdwcg~N，，ρ，ΔSta~N，，ρ，其中，Δdwcg表示绕组与磁芯距离误差，ΔSta表示叠片系数偏差，表示绕组与磁芯距离误差的均值，表示绕组与磁芯距离误差的标准差，ρ表示相关系数； 纳米晶磁芯的圆角尺寸遵循二元正态分布，表示为ΔFinner_c~bivariateNormal，，ρ和ΔFouter_c~bivariateNormal，，ρ，其中，ΔFinner_c和ΔFouter_c均表示纳米晶磁芯的圆角尺寸，和分别为磁芯内外圆角半径的均值，和分别为磁芯内外圆角半径的标准差，ρ为相关系数，且其标准差设置为相应制造公差的13； 稳健优化设计模型的公式如下： ； 其中，和分别表示纳米晶高频变压器的漏感值、总损耗和热点温度，和表示漏感目标值，、、、、和分别为纳米晶高频变压器的尺寸参数，、和分别为绕组与磁芯间距误差、饱和磁通密度偏差和叠片系数偏差，分别表示样本统计中的均值、标准差和相关系数； S3、在确定稳健优化设计模型后，采用正交实验设计生成具有代表性的样本点； S4、构建支持向量回归代理模型； S5、通过蒙特卡洛分析来评估设计的不确定性； S6、通过非支配遗传算法-III获取帕累托前沿，然后进行多目标优化。

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