上海芯龙半导体技术股份有限公司王蕾获国家专利权
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龙图腾网获悉上海芯龙半导体技术股份有限公司申请的专利一种红外热电堆探测器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120813223B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511319806.1，技术领域涉及：H10N10/01；该发明授权一种红外热电堆探测器及其制造方法是由王蕾;李瑞平设计研发完成，并于2025-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种红外热电堆探测器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种红外热电堆探测器及其制造方法，属于温度传感技术领域，该红外热电堆探测器包括衬底，所述衬底上依次设置有第一热电偶层、牺牲层和第二热电偶层，所述牺牲层中设置有真空隔热腔；该红外热电堆探测器的制造方法包括：在牺牲层内制备真空隔热腔：刻蚀牺牲层，形成多个备用槽结构和多个微孔阵列，微孔阵列为开设在每个备用槽结构顶面或底面的若干个孔，微孔阵列和备用槽结构形成连通结构；在真空环境下，向牺牲层内淀积填充层，不完全填充连通结构，形成至少一真空空腔。通过提出的带真空隔热腔的红外热电堆器件结构，有效提高热电堆器件的响应率与探测率，改善在激光功率测量应用中检测结果的分辨率和灵敏度。
本发明授权一种红外热电堆探测器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种红外热电堆探测器的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，在所述衬底上依次形成第一支撑层、第一热电偶层和牺牲层； 在所述牺牲层内制备真空隔热腔： 刻蚀所述牺牲层，形成多个备用槽结构； 刻蚀所述牺牲层，形成多个微孔阵列，所述微孔阵列为开设在每个备用槽结构顶面或底面的若干个孔，所述微孔阵列和备用槽结构形成连通结构； 在真空环境下，向所述牺牲层内淀积填充层，利用所述微孔阵列和备用槽结构之间的孔径差异，不完全填充所述连通结构，形成至少一真空空腔； 形成所述真空隔热腔后，在所述牺牲层顶部淀积第二热电偶层。
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