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龙图腾网获悉江苏芯德半导体科技股份有限公司申请的专利一种QFN封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120834011B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511344542.5，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种QFN封装结构及封装方法是由魏新文;龚臻;周进普;唐继稳;刘颖设计研发完成，并于2025-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种QFN封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种QFN封装结构及封装方法，该封装方法包括以下步骤：提供引线框架，其引脚包括平面部和侧壁部，引脚侧壁部朝向基岛表面方向设置；芯片设置在引线框架正面的基岛表面；封部塑封引线框架正面和芯片，且塑封部包覆引脚侧壁部；塑封后，自引线框架背面对连接筋及塑封部进行多次切割，切割后在引脚侧壁部外侧翼形成台阶型凹槽；台阶型凹槽内镀锡，形成镀锡层，切除塑封部多余部分，形成QFN封装结构。本发明通过台阶型凹槽的深度控制QFN封装结构引脚侧壁爬锡的高度，实现了引脚侧壁部上锡位置的灵活调整，无须受制于电镀工艺的物理限制，可以精确控制侧面焊料的垂直覆盖高度，形成有效焊料爬升。

本发明授权一种QFN封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.QFN封装结构的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括以下步骤： S1、提供引线框架，所述引线框架正面具有基岛和多个引脚，所述引脚围设于基岛的四边；相邻引脚之间通过连接筋连接；所述引脚包括平面部和侧壁部，引脚侧壁部朝向基岛表面方向设置； 单个所述引脚的平面部和侧壁部也通过连接筋连接，平面部和侧壁部设于连接筋两侧； 所述引脚侧壁部朝向基岛表面方向设置的方法为：对连接筋处进行冲压，将侧壁部压向基岛正面方向，使得侧壁部、连接筋和平面部形成L型引脚；其中，平面部和侧壁部之间的连接筋采用半蚀刻，半蚀刻位置位于引线框架背面的连接筋上； S2、提供芯片，所述芯片设置在引线框架正面的基岛表面，芯片与引脚的平面部电性连接； S3、塑封部塑封引线框架正面和芯片，且塑封部包覆引脚侧壁部；塑封后，自引线框架背面对连接筋及塑封部进行多次切割，切割后在引脚侧壁部外侧翼形成台阶型凹槽； S4、台阶型凹槽内镀锡，形成镀锡层，切除塑封部多余部分，形成四周边缘具有台阶型结构的QFN封装结构；通过台阶型凹槽的深度控制QFN封装结构引脚侧壁爬锡的高度。

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