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龙图腾网获悉南京云极芯半导体科技有限公司申请的专利一种半导体探针卡的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120847454B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511350715.4，技术领域涉及：G01R3/00；该发明授权一种半导体探针卡的制备方法是由许鑫龙设计研发完成，并于2025-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体探针卡的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体探针卡的制备方法，包括：制备得到晶圆片；在陶瓷基板的上表面光刻电镀形成第一铜层；光刻电镀形成第一镍钴合金层；光刻后在N个第一镍钴合金层上电镀形成第二镍钴合金层，在其余第一镍钴合金层上电镀形成第三镍钴合金层；光刻后，在每个第二镍钴合金层和第三镍钴合金层上电镀形成第一金层；去除所有光刻胶层，得到陶瓷片；将晶圆片放置在陶瓷片的上方，限位块朝下，并将N个限位块的侧面与N个叠设的第二镍钴合金层和第一镍钴合金层的侧面相抵接；将第一金层和第二金层键合；去除晶圆片的硅基板和限位块。本发明提供的一种半导体探针卡的制备方法，能够实现晶圆片与陶瓷片的精准键合，提升产品良率，降低成本。

本发明授权一种半导体探针卡的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体探针卡的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤10，制备得到晶圆片；所述晶圆片具有N个限位块和M个探针22，限位块和探针分别位于晶圆片的两面，且每个探针22的表面具有第二金层25；所述N为大于等于1的整数，M为大于等于2的整数，且M大于N； 步骤20，在陶瓷基板11的上表面涂敷光刻胶，形成第一光刻胶层12；曝光显影后，形成M个第一电路图形121；在每个第一电路图形上电镀形成第一铜层13； 步骤30，在所有第一铜层13和保留的第一光刻胶层12上涂敷光刻胶，形成第二光刻胶层；曝光显影后，在每个第一铜层13上形成第二电路图形；在每个第二电路图形上电镀形成第一镍钴合金层14； 步骤40，在所有第一镍钴合金层14和保留的第二光刻胶层上涂敷光刻胶，形成第三光刻胶层；曝光显影后，在N个第一镍钴合金层14上形成第三电路图形，在其余第一镍钴合金层14上形成第四电路图形；在每个第三电路图形上电镀形成第二镍钴合金层15，在每个第四电路图形上电镀形成第三镍钴合金层16；所述第二镍钴合金层15在陶瓷基板上的正投影与第一镍钴合金层14在陶瓷基板上的正投影完全重合；所述第三镍钴合金层16在陶瓷基板上的正投影面积小于第一镍钴合金层14在陶瓷基板上的正投影面积；N个第二镍钴合金层15与晶圆片上的N个限位块一一对应； 步骤50，在所有第二镍钴合金层15、第三镍钴合金层16和保留的第三光刻胶层上涂敷光刻胶，形成第四光刻胶层；曝光显影后，在每个第二镍钴合金层15和第三镍钴合金层16上形成第五电路图形；在每个第五电路图形上电镀形成第一金层17； 步骤60，去除所有光刻胶层，得到陶瓷片； 步骤70，将晶圆片放置在陶瓷片的上方，使得探针针尖朝上，限位块朝下，并将N个限位块的侧面与N个叠设的第二镍钴合金层15和第一镍钴合金层14的侧面相抵接，使得晶圆片的所有第二金层25分别与陶瓷片的所有第一金层17一一对应； 步骤80，将陶瓷片的第一金层17和晶圆片的第二金层25键合； 步骤90，去除晶圆片的硅基板和限位块。

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