合肥晶合集成电路股份有限公司桑华煜获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120857575B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511339998.2，技术领域涉及：H10D30/68；该发明授权一种半导体器件及其制作方法是由桑华煜;杨宗凯;汪华设计研发完成，并于2025-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，半导体器件包括：至少两个浮栅区，形成于阱区内，浮栅区包括相邻设置的浮栅层和浮栅介质层，浮栅层和浮栅介质层垂直于衬底上表面所在的平面；以及隔离介质层，形成于浮栅区和阱区之间；电压施加端，连接于浮栅区外侧的浮栅层上，用以在电压施加端上施加电压，以对多晶硅栅层底部的阱区内的电子浓度进行调节；其中，浮栅区位于多晶硅栅层的两侧，且浮栅区内浮栅层和浮栅介质层的排列方向与两侧浮栅区之间的排列方向相同。本发明可对半导体器件的阈值电压进行调节，实现半导体器件的阈值电压可控。
本发明授权一种半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底内包括阱区，所述阱区内包括间隔设置的引出区、源极区和漏极区； 栅介质层，设置在所述阱区的表面上，所述栅介质层位于所述源极区和所述漏极区之间，所述引出区、所述源极区位于所述栅介质层的相同一侧； 多晶硅栅层，设置在所述栅介质层的表面上； 至少两个浮栅区，形成于所述阱区内，所述浮栅区包括相邻设置的浮栅层和浮栅介质层，所述浮栅层和所述浮栅介质层垂直于所述衬底上表面所在的平面；以及 隔离介质层，形成于所述浮栅区和所述阱区之间； 电压施加端，连接于所述浮栅区外侧的所述浮栅层上，用以在所述电压施加端上施加电压，以对所述多晶硅栅层底部的所述阱区内的电子浓度进行调节； 其中，所述浮栅区位于所述多晶硅栅层的两侧，且所述浮栅区内所述浮栅层和所述浮栅介质层的排列方向与两侧所述浮栅区的排列方向相同。
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