粤芯半导体技术股份有限公司邱盼盼获国家专利权
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龙图腾网获悉粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利BCD器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120857600B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511337549.4，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权BCD器件及制备方法是由邱盼盼;陈献龙设计研发完成，并于2025-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本BCD器件及制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种BCD器件及制备方法，涉及半导体技术领域，解决了相关技术中BCD器件不满足行业测试要求的问题，本方案提供的BCD器件在金属层上沉积第一富硅氧化硅层、氮氧化硅层以及氧化物层，氮氧化硅层相比于氧化物层具有更高的介电强度，且能够承受更高的电场强度而不被击穿，其所能承受的ACBV能够满足行业测试要求，确保器件在高电压、高频信号下能够长期稳定运行。
本发明授权BCD器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种BCD器件，其特征在于，包括： 衬底层，所述衬底层包括介质层、第一金属层和多个金属通孔，所述第一金属层位于所述介质层下方并连接所述金属通孔，所述金属通孔穿设于所述介质层，且所述金属通孔内填充有导电金属； 第二金属层，所述第二金属层设置在所述衬底层上，所述第二金属层与多个所述金属通孔连接以通过所述金属通孔内的导电金属连通所述第一金属层，且所述第二金属层在目标区域内设置有第一沟槽，所述目标区域位于任意两个所述金属通孔之间； 抗反射层，所述抗反射层设置在所述第二金属层上； 第一富硅氧化硅层，所述第一富硅氧化硅层设置在所述抗反射层上，且所述第一富硅氧化硅层覆盖于所述第一沟槽的表面； 氮氧化硅层，所述氮氧化硅层设置在所述第一富硅氧化硅层上，且所述氮氧化硅层覆盖于所述第一富硅氧化硅层上，并在所述目标区域形成第二沟槽； 氧化物层，所述氧化物层设置在所述氮氧化硅层上并填充所述第二沟槽； 第二富硅氧化硅层，所述第二富硅氧化硅层设置在所述氧化物层上； 钝化层，所述钝化层设置在所述第二富硅氧化硅层上。
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