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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利一种光通信器件的光栅波导结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120871342B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511403655.8，技术领域涉及：G02B6/136；该发明授权一种光通信器件的光栅波导结构及其制备方法是由王士京;李俭;张名瑜;胥沛雯;方文强;彭国发;江森林设计研发完成，并于2025-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光通信器件的光栅波导结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种光通信器件的光栅波导结构及其制备方法，包括在碳化硅衬底上形成多个金属掩膜，采用原子层沉积工艺，在金属掩膜的顶面和侧面上形成金属氧化物层，对金属掩膜存在的表面粗糙缺陷进行逐层原位填充平整，对金属氧化物层进行回刻形成表面光滑的侧墙结构，并对露出的碳化硅衬底的表面进行刻蚀，形成多个周期性排列且具有光滑侧壁的沟槽，采用有机物层对沟槽侧壁进行保护后去除侧墙结构和金属掩膜，去除有机物层并对侧壁进行第一预处理后，在沟槽内壁和碳化硅衬底表面上依次沉积第一波导包层、第一波导层、第二波导层和第二波导包层。本申请能够提高器件精度，显著减小散射损耗，降低光信号的能量衰减。

本发明授权一种光通信器件的光栅波导结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光通信器件的光栅波导结构制备方法，其特征在于，包括： 在碳化硅衬底上形成并列的多个金属掩膜； 采用原子层沉积工艺，在所述金属掩膜的顶面和侧面上形成金属氧化物层，以对所述金属掩膜存在的表面粗糙缺陷进行逐层原位填充平整； 对所述金属氧化物层进行回刻，以在所述金属掩膜的侧面上形成表面光滑的侧墙结构； 以所述侧墙结构和所述金属掩膜为共同掩膜，对露出的所述碳化硅衬底的表面进行刻蚀，在所述碳化硅衬底上形成多个周期性排列的沟槽，并使所述侧墙结构的表面光滑形貌通过图形转移传递至所述沟槽的侧壁上； 采用有机物层对所述沟槽的侧壁进行保护，然后去除所述侧墙结构和所述金属掩膜； 去除所述有机物层，然后，对露出的所述侧壁进行第一预处理； 在所述沟槽的内壁和所述碳化硅衬底的露出表面上依次沉积第一波导包层、第一波导层、第二波导层和第二波导包层，所述第一波导层和所述第二波导层的折射率不同。

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