苏州元脑智能科技有限公司罗晓龙获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州元脑智能科技有限公司申请的专利参考电压的确定方法、电子设备、存储介质及程序产品获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120877825B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511406493.3,技术领域涉及:G11C16/34;该发明授权参考电压的确定方法、电子设备、存储介质及程序产品是由罗晓龙;张海仑;邵文豪设计研发完成,并于2025-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本参考电压的确定方法、电子设备、存储介质及程序产品在说明书摘要公布了:本申请公开了一种参考电压的确定方法、电子设备、存储介质及程序产品,涉及计算机技术领域,检测闪存单元对应的N个预设参考电位的N个预设参考电压,预设参考电位为闪存单元的M个参考电位中用于作为预测参考电压基准的电位;获取闪存单元对应的当前字线位置和当前擦写次数;根据当前字线位置和当前擦写次数,确定多个调整参数对应的多个参数值,多个调整参数包括位置相关参数、老化参数和位置补偿参数;根据多个参数值和N个预设参考电压,确定至少一个预测参考电位对应的至少一个预测参考电压,至少一个预测参考电位为M个参考电位中除N个预设参考电位之外的电位。可以提高调整参考电压的效率。
本发明授权参考电压的确定方法、电子设备、存储介质及程序产品在权利要求书中公布了:1.一种参考电压的确定方法,其特征在于,包括: 检测闪存单元对应的N个预设参考电位的N个预设参考电压,所述预设参考电位为所述闪存单元的M个参考电位中用于作为预测参考电压基准的电位,所述N为大于或等于1的整数,所述M为大于所述N的整数; 获取所述闪存单元对应的当前字线位置和当前擦写次数; 根据所述当前字线位置和所述当前擦写次数,确定多个调整参数对应的多个参数值,所述多个调整参数包括位置相关参数、老化参数和位置补偿参数; 根据所述多个参数值和所述N个预设参考电压,确定至少一个预测参考电位对应的至少一个预测参考电压,所述至少一个预测参考电位为所述M个参考电位中除所述N个预设参考电位之外的电位; 针对任意一个预测参考电压;根据所述多个参数值和所述N个预设参考电压,确定所述预测参考电压,包括: 在所述N个预设参考电压中,确定所述预测参考电压对应的第一基准电压和第二基准电压;确定所述闪存单元对应的字线位置差值和擦写次数差值;根据所述多个参数值、所述第一基准电压、所述第二基准电压、所述字线位置差值和所述擦写次数差值,确定所述预测参考电压。
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