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龙图腾网获悉成都航天博目电子科技有限公司申请的专利一种双芯片封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120878562B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511394433.4，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权一种双芯片封装结构及其制备方法是由马磊;董鹏;刘浩;边旭明;曹佳设计研发完成，并于2025-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双芯片封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双芯片封装结构及其制备方法，所述方法包括：在载板上制作第一塑封层，第一塑封层中间部位进行第一大开孔；在第一大开孔制作共背极金属布线层并粘贴第一芯片，填充第一介质层；第一芯片上制作第二塑封层，第一塑封层进行第一铜柱开孔并在孔内制作第一铜柱；第一塑封层背面进行第二大开孔，粘贴第二芯片并填充第二介质层；第二介质层进行第二铜柱开孔并在孔内形成第二铜柱；制作第一布线金属层连接第二铜柱和内侧的第一铜柱；在第一塑封层下制作第三塑封层，形成第二布线金属层，连接第二芯片正面和外侧的第一铜柱；对第二塑封体开孔，制作引脚金属后形成焊盘完成封装。本发明能够提高散热效率，降低寄生效应，实现封装薄型化。

本发明授权一种双芯片封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双芯片封装结构的制备方法，其特征在于，包括： 步骤S1，在载板上制作第一塑封层，在第一塑封层的中间部位制作第一大开孔； 步骤S2，去除载板，在第一大开孔上方制作共背极金属布线层，共背极金属布线层覆盖第一大开孔内以及第一塑封层的中间部位两侧，在第一大开孔内的共背极金属布线层上粘贴或焊接第一芯片并在第一大开孔内填充第一介质层； 步骤S3，在第一介质层上方制作第二塑封层，第二塑封层覆盖第一介质层和第一塑封层； 步骤S4，通过刻蚀在第一塑封层的中间部位两侧以及第一塑封层的左右两端下方制作四个第一铜柱开孔，中间部位两侧的开孔刻蚀到共背极金属布线层，左右两端的开孔刻蚀到第二塑封层； 步骤S5，在四个第一铜柱开孔内分别制作第一铜柱，形成内侧两个第一铜柱和外侧两个第一铜柱； 步骤S6，通过蚀刻对第一塑封层背面的中间部位制作第二大开孔，蚀刻停止在共背极金属布线层上，第二大开孔与第一大开孔上下相对且开口方向相反； 步骤S7，在第二大开孔内的共背极金属布线层上粘贴或焊接第二芯片并在第二大开孔内填充第二介质层； 步骤S8，通过蚀刻在第二芯片两侧的第二介质层中制作两个第二铜柱开孔，蚀刻停止在共背极金属布线层上； 步骤S9，在两个第二铜柱开孔内制作第二铜柱，形成两个第二铜柱； 步骤S10，制作第一布线金属层分别连接两个第二铜柱和与其相邻的内侧两个第一铜柱； 步骤S11，在第一塑封层下方制作第三塑封层，对第三塑封层进行开孔，制作第二布线金属层连接第二芯片的正面电极与外侧两个第一铜柱； 步骤S12，对第二塑封体进行开孔，露出第一芯片的正面电极、第一大开孔两侧的共背极金属布线层以及外侧两个第一铜柱并制作引脚金属形成焊盘，完成封装。

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