湖南泰坦未来科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南泰坦未来科技有限公司申请的专利一种多孔分隔板及碳化硅晶体生长装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223592882U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422629124.8，技术领域涉及：C30B23/00；该实用新型一种多孔分隔板及碳化硅晶体生长装置是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多孔分隔板及碳化硅晶体生长装置在说明书摘要公布了：本实用新型属于碳化硅晶体生长技术领域，尤其是一种多孔分隔板及碳化硅晶体生长装置，针对在PVT生长SiC单晶的高温环境中，在2200‑2400度超高温、腐蚀性的Si气氛下，生成的SiC单晶内部碳包裹缺陷数量较多，并且碳材料会因为被Si腐蚀而产生破坏，导致失效的问题，现提出如下方案，包括主板体，所述主板体上开设有通孔，所述主板体外设置有碳化物涂层，本申请中多孔分隔板外形简单，生产技术简单，生产成本低，方便制作涂层，延长多孔碳材料的使用寿命，并且碳化硅晶体生长装置能够保持生长过程中气流速率的均匀性，减少产品中形成的缺陷，减少碳颗粒杂质上升量，提高晶体质量。
本实用新型一种多孔分隔板及碳化硅晶体生长装置在权利要求书中公布了：1.一种多孔分隔板，其特征在于，包括主板体，所述主板体上侧开设有环形凹槽，所述主板体下侧配合设置有环形凸台，以使得多孔分隔板装配后形成密封气氛，且设置多个多孔分隔板时，主板体之间留有间隙，所述主板体上开设有通孔，所述主板体外设置有碳化物涂层。
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