西安华合德新材料科技有限公司朱纳新获国家专利权
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龙图腾网获悉西安华合德新材料科技有限公司申请的专利一种SiC晶体生长籽晶机械安装装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223592883U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423244540.2，技术领域涉及：C30B23/00；该实用新型一种SiC晶体生长籽晶机械安装装置是由朱纳新设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SiC晶体生长籽晶机械安装装置在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种SiC晶体生长籽晶机械安装装置，涉及新型半导体材料晶体生长技术领域。包括：石墨坩埚；石墨上盖，设置在石墨坩埚的上端开口处，且在石墨上盖内设置石墨托盘；SiC籽晶，通过石墨托盘设置在石墨上盖内，且在SiC籽晶上侧设置有导热隔层；石墨盖，设置在石墨上盖上端，且与导热隔层相匹配。本装置通过采用机械方式安放籽晶，不采用常规的粘接方法，可以有效的解决籽晶粘接带入的杂质污染；同时，通过在SiC籽晶上方设置导热隔层，将导热隔层紧压在石墨下盖内，使其与SiC籽晶的上表面紧密接触，解决了传统SiC晶体生长装置存在的籽晶热量分布不均、散热不均匀、粘接剂和石墨板的杂质污染，影响晶体质量的问题。
本实用新型一种SiC晶体生长籽晶机械安装装置在权利要求书中公布了：1.一种SiC晶体生长籽晶机械安装装置，其特征在于：包括： 石墨坩埚2； 石墨下盖3，设置在石墨坩埚2的上端开口处，在石墨下盖3内设置石墨托盘4； SiC籽晶5，通过石墨托盘4设置在石墨下盖3内，在SiC籽晶5上方设置导热隔层6； 石墨上盖7，设置在石墨下盖3上端，且与导热隔层6相匹配。
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