莫诺利斯半导体有限公司凯文·马蒂卡获国家专利权
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龙图腾网获悉莫诺利斯半导体有限公司申请的专利用于基于SiC的保护器件的结构和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110880538B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910831358.1，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权用于基于SiC的保护器件的结构和方法是由凯文·马蒂卡;基兰·查蒂;布莱克·鲍威尔;苏吉特·班纳吉设计研发完成，并于2019-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于基于SiC的保护器件的结构和方法在说明书摘要公布了：本发明题为“用于基于SiC的保护器件的结构和方法”。本发明提供了一种器件，所述器件可以包括形成在SiC衬底内的P‑N二极管。所述器件可以包括形成在所述SiC衬底内的N型区、形成在所述N型区的上部部分中的P型区；以及注入的N型层，所述注入的N型层设置在所述P型区和所述N型区之间。
本发明授权用于基于SiC的保护器件的结构和方法在权利要求书中公布了：1.一种SiC瞬态电压抑制器器件，包括： P-N二极管，所述P-N二极管形成在SiC衬底内，并且包括： N型区，所述N型区形成在所述SiC衬底内； P型区，所述P型区形成在所述N型区的上部部分中，所述P型区具有第一P掺杂水平并且沿着所述SiC衬底的上表面延伸； 注入的N型层，所述注入的N型层设置在所述P型区和所述N型区之间；和 结终端扩展区，所述结终端扩展区设置在所述P型区周围，并且与所述N型区形成界面区，所述结终端扩展区包括具有小于所述第一P掺杂水平的第二P掺杂水平的P型掺杂剂； 阳极触点，所述阳极触点被设置在所述P型区上； 背面触点，所述背面触点被设置在所述SiC衬底的背表面上，与所述N型区接触； 场氧化物区，所述场氧化物区在所述P型区上方限定窗口； 金属层结构，所述金属层结构被设置成与所述阳极触点接触； 钝化层，所述钝化层被设置在所述金属层结构上方；和 聚合物层，所述聚合物层被设置在金属层结构上方， 其中，所述聚合物层和所述钝化层限定用于接触所述金属层结构的开口。
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