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龙图腾网获悉武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利触控显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111722761B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010676426.4，技术领域涉及：G06F3/044；该发明授权触控显示装置是由叶剑设计研发完成，并于2020-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本触控显示装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种触控显示装置，触控显示装置包括：有机发光二极管显示面板，有机发光二极管显示面板包括共阴极以及多个冗余阴极，共阴极与多个冗余阴极位于同一导电层且电性绝缘；以及触控层，触控层位于有机发光二极管显示面板的一侧，触控层包括多个触控电极；多个触控电极在触控显示装置上的正投影与多个冗余阴极在触控显示装置上的正投影部分重合，以减少多个触控电极与阴极之间形成的寄生电容，避免过大的寄生电容对触控电极的噪声干扰过大导致触控节点电容所需的充电时间越大，避免导致触控报点率降低。

本发明授权触控显示装置在权利要求书中公布了：1.一种触控显示装置，其特征在于，包括： 有机发光二极管显示面板，所述有机发光二极管显示面板包括基底、设置于所述基底上的绝缘层、共阴极、多个冗余阴极、多个子像素以及隔断部，所述共阴极与多个所述冗余阴极位于同一导电层且电性绝缘，所述绝缘层设置有多个开口，多个所述子像素设置于多个所述开口中，所述共阴极位于多个所述子像素上，所述隔断部为设置于所述绝缘层上的凹槽，所述凹槽设置于相邻两个所述开口之间，所述凹槽包括第一凹槽以及与所述第一凹槽连通的第二凹槽，所述第一凹槽位于所述第二凹槽靠近所述基底的一侧，所述冗余阴极设置于所述第一凹槽中，所述开口的纵截面的形状为倒梯形，所述第一凹槽的纵截面的形状为倒梯形，所述第二凹槽的纵截面的形状为倒梯形，所述第一凹槽靠近所述第二凹槽的顶部具有第一宽度，所述第二凹槽靠近所述第一凹槽的底部具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度；以及 触控层，所述触控层位于所述有机发光二极管显示面板的一侧，所述触控层包括多个触控电极； 其中，多个所述触控电极在所述基底上的正投影与多个所述冗余阴极在所述基底上的正投影部分重合。

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