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龙图腾网获悉广州大学申请的专利一种带有负反馈的高性能CMOS电压基准源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111813177B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010693834.0，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种带有负反馈的高性能CMOS电压基准源是由曾衍瀚;杨敬慈;林奕涵;吴添贤设计研发完成，并于2020-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带有负反馈的高性能CMOS电压基准源在说明书摘要公布了：本发明公开了一种带有负反馈的高性能CMOS电压基准源，包括依次连接启动电路模块、电流源模块及有源负载模块；启动电路模块用于将电路保持在适当的工作点，并确保电路始终可以达到稳定状态，电流源模块在不使用特殊器件的情况下，用于产生一个与电子迁移率和温度平方成正比的偏置电流，且偏置电流较小，使得电流消耗的功率较小。本发明中，有源负载模块通过引入负反馈产生低电压线性度和高电源抑制比的输出基准电压，同时具备低温度系数、低电压线性度、高电源抑制比，低功耗和较好工艺兼容性的优点。

本发明授权一种带有负反馈的高性能CMOS电压基准源在权利要求书中公布了：1.一种带有负反馈的高性能CMOS电压基准源，包括启动电路模块、电流源模块和有源负载模块，其特征在于：所述启动电路模块、电流源模块和有源负载模块之间依次连接；所述启动电路模块用于将电路保持在适当的工作点，并确保电路始终可以达到稳定状态；所述电流源模块在不使用特殊器件的情况下，用于产生一个与电子迁移率和温度平方成正比的偏置电流；所述有源负载模块通过引入负反馈产生低电压线性度和高电源抑制比的输出基准电压；所述启动电路模块包括PMOS管M14、NMOS管M15、M16和M17，所述启动电路中的M14的漏极和源极均与电源电压相连，M14的栅极与M15和M16的栅极相连，M15和M16的漏极相连，并引出作为启动电路的第一输出端为电流源模块提供启动信号，M15和M16的源极与分别引出作为启动信号的第二和第三输出端与电流源模块相连，M17的漏极和M14的栅极相连，M17的栅极与输出基准电压VREF相连，M17的源极接地；所述电流源模块包括运算放大器，PMOS管M9、M10、M11、NMOS管M1、M2、M3和M4，所述M9、M10和M11构成电流镜，即M9的漏极和栅极相连，M9，M10，M11的源极与电源电压相连，M9，M10，M11的栅极相连，且与运算放大器OP-AMP相连，同时与启动电路的第一输出端相连，并引出到有源负载模块，所述M1、M3和M4均为二极管连接，即M1、M3和M4各自的栅极和漏极连接在一起，M1的漏极与M9的漏极连接，M1的源极与M2的漏极相连，M2的栅极和M1的漏极相连，M2的源极接地，M3的源极与M2的漏极相连，M3的栅极和运算放大器OP-AMP的正相输入端相连，M3的漏极与启动电路的第二输出端相连，M4的栅极与运算放大器OP-AMP的反相输入端相连，且与启动电路的第三输出端相连，M4的漏极与M11的漏极相连，M4的源极接地；所述有源负载模块包括PMOS管M12、M13、NMOS管M5、M6、M7和M8，M12和M13作为有源负载模块的输出端与电流源模块中M9，M10，M11的栅极相连，构成电流镜，M12和M13的源极与电源电压相连，M12的漏极与M5的漏极相连，M13的漏极与M7的漏极相连，M5的栅极与M7的栅极相连，M5的源极与M6的漏极相连，M6的源极接地，M6和M7均为二极管连接，即M6和M7各自的漏极与栅极连接在一起，M7的源极和M8的漏极相连，且作为有源负载模块的输出端，同时也是整个电压基准源的输出端VREF，M8的栅极与M6的栅极相连，M8的源极接地。

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