IMEC 非营利协会B·T·曾获国家专利权
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龙图腾网获悉IMEC 非营利协会申请的专利自对准层图案化获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112242303B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010690877.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权自对准层图案化是由B·T·曾;Y·K·萧;J·博迈尔斯设计研发完成，并于2020-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本自对准层图案化在说明书摘要公布了：一种方法，包括以下步骤：a.通过自对准多重图案化来在要被图案化的层3上形成规则地间隔开的芯模4的第一图案，b.随后，在所述芯模4的侧壁上形成硬掩模间隔物5，由此形成第二图案，所述第二图案由包括芯模4和其侧壁上的硬掩模间隔物5的组装件4，5来形成，以及c.随后，在要被图案化的层3中蚀刻所述第二图案。
本发明授权自对准层图案化在权利要求书中公布了：1.一种用于在半导体器件的制造期间形成哑栅极的图案的方法，包括以下步骤： a.通过自对准多重图案化来在要被图案化的层3上形成规则地间隔开的诸芯模4的第一图案， b.随后，在所述诸芯模4的侧壁上形成硬掩模间隔物5，由此形成第二图案，所述第二图案由包括诸芯模4和其侧壁上的硬掩模间隔物5的诸组装件4，5来形成，以及 c.随后，在要被图案化的层3中蚀刻所述第二图案， 其特征在于，硬掩模线比哑栅极线更宽，使得硬掩模线将足够宽来覆盖哑栅极线的栅极间隔物的至少一部分。
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