株式会社迪思科松崎荣获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利湿蚀刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112309848B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010736081.7，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权湿蚀刻方法是由松崎荣设计研发完成，并于2020-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本湿蚀刻方法在说明书摘要公布了：本发明提供湿蚀刻方法，在湿蚀刻时，抑制清洗水的飞散。要进行湿蚀刻的晶片W支承于具有间隙的晶片支承件3。在通过清洗水对晶片支承件3所支承的晶片W的上表面进行清洗时，通过配置于晶片支承件3的下方的清洗液用瓶32对从晶片支承件3的间隙流下的清洗水进行回收。由此，能够一边抑制清洗水向晶片W的周围飞散一边良好地回收清洗水。
本发明授权湿蚀刻方法在权利要求书中公布了：1.一种湿蚀刻方法，利用蚀刻液对晶片的上表面进行蚀刻，其中， 该湿蚀刻方法包含： 准备工序，将晶片载置于晶片支承件，该晶片支承件具有对晶片进行支承且具有间隙的主体部和从该主体部向外侧伸出的多个腿； 蚀刻工序，利用表面张力使蚀刻液积存于晶片的上表面上，对晶片的上表面进行蚀刻； 清洗工序，在支承该晶片的该晶片支承件借助该腿与配置于该晶片的下方的静止的第1瓶的开口卡合而将该晶片按照悬浮在空中的方式配置于该开口的中央的状态下，通过清洗水对该晶片的上表面进行清洗，将从晶片的上表面溢出经由该主体部的该间隙落下的该清洗水积存在该第1瓶中；以及 干燥工序，使晶片以其中心为轴进行旋转而使晶片干燥。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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