三星电子株式会社卢宣颖获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447848B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010699618.7，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体器件是由卢宣颖;金完敦;李贤培;柳东坤;林东灿设计研发完成，并于2020-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：位于衬底上的层间介电层；填充所述层间介电层的第一沟槽的第一连接线，所述第一沟槽具有第一宽度；以及填充所述层间介电层的第二沟槽的第二连接线，所述第二沟槽具有大于所述第一宽度的第二宽度，并且所述第二连接线包括：覆盖所述第二沟槽的内侧壁的第一金属层，覆盖所述第二沟槽的底表面的阻挡层，以及位于所述第一金属层和所述阻挡层上的第二金属层，所述第一连接线和所述第一金属层包括第一金属，并且所述第二金属层包括不同于所述第一金属的第二金属。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底，所述衬底包括第一有源区； 第一有源图案，所述第一有源图案位于所述第一有源区上； 第一源极漏极图案，所述第一源极漏极图案位于所述第一有源图案的上部上； 栅电极，所述栅电极跨过所述第一有源图案； 层间介电层，所述层间介电层覆盖所述第一源极漏极图案和所述栅电极； 第一连接线，所述第一连接线位于所述层间介电层中，所述第一连接线具有第一宽度；以及 第二连接线，所述第二连接线位于所述层间介电层中，所述第二连接线具有大于所述第一宽度的第二宽度，并且所述第二连接线包括： 位于所述层间介电层的沟槽的内侧壁上的第一金属层， 位于所述层间介电层的所述沟槽的底表面上的阻挡层，所述阻挡层的底表面与所述第一金属层的底表面共面，以及 位于所述第一金属层和所述阻挡层上的第二金属层，所述第一连接线和所述第一金属层包括第一金属，并且所述第二金属层包括不同于所述第一金属的第二金属。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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