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龙图腾网获悉IMEC 非营利协会申请的专利III-V器件与IV族器件的共同集成获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112670284B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010897027.0，技术领域涉及：H10D84/00；该发明授权III-V器件与IV族器件的共同集成是由A·M·沃克;L·维特斯设计研发完成，并于2020-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本III-V器件与IV族器件的共同集成在说明书摘要公布了：在第一方面，本发明涉及一种方法，该方法包括：a提供SixGe1‑x100基材10，其中x为0‑1；b选择用于在其中形成IV族器件50的第一区域21和用于在其中形成III‑V器件80的第二区域22，第一区域和第二区域22各自包括SixGe1‑x100基材10的一部分；c至少为III‑V器件80形成沟槽隔离30；d在第一区域21中提供SiyGe1‑y100表面15，其中y为0到1；e在第一区域21中的SiyGe1‑y100表面15上至少部分地形成IV族器件50；f在第二区域22中形成暴露SixGe1‑x100基材10的沟槽60，相对于第一区域21中的SiyGe1‑y100表面15，沟槽60具有至少200nm，优选至少500nm，更优选至少1μm，最优选至少2μm的深度，例如4μm；g使用纵横比捕获在沟槽60中生长III‑V材料71,72；以及h在III‑V材料71,72上形成III‑V器件80，III‑V器件80包括至少一个接触区域83，该接触区域83的高度与IV族器件50的接触区域53的高度的差异在100nm以内，优选50nm以内，更优选20nm以内，最优选10nm以内。

本发明授权III-V器件与IV族器件的共同集成在权利要求书中公布了：1.一种方法，其包括： a.提供SixGe1-x100基材，其中x为0-1； b.选择用于在其中形成IV族器件的第一区域和用于在其中形成III-V器件的第二区域，第一区域和第二区域各自包括SixGe1-x100基材的一部分； c.至少为III-V器件在SixGe1-x100基材的第二区域中形成沟槽隔离； d.在步骤c后，在SixGe1-x100基材的第一区域中提供SiyGe1-y100表面，其中y为0到1； e.在步骤d之后但在步骤f之前，在第一区域中的SiyGe1-y100表面上至少部分地形成IV族器件； f.在步骤e之后但在步骤g之前，在SixGe1-x100基材的第二区域中形成穿过沟槽隔离并部分进入SixGe1-x100基材的暴露SixGe1-x100基材的沟槽，相对于第一区域中的SiyGe1-y100表面，沟槽具有至少200nm的深度； g.在步骤f之后但在步骤h之前，使用纵横比捕获在沟槽中生长III-V材料；以及 h.在步骤g之后，在沟槽中的III-V材料上形成III-V器件，III-V器件包括至少一个接触区域，该接触区域的高度与IV族器件的接触区域的高度的差异在100nm以内。

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