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龙图腾网获悉英飞凌科技德累斯顿公司申请的专利用于制造具有掩埋深沟槽结构的传感器设备的方法和传感器设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112885854B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011359817.X，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权用于制造具有掩埋深沟槽结构的传感器设备的方法和传感器设备是由M·格莱美;B·宾德;H·菲克;D·奥芬贝格设计研发完成，并于2020-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于制造具有掩埋深沟槽结构的传感器设备的方法和传感器设备在说明书摘要公布了：用于制造具有掩埋深沟槽结构的传感器设备的方法，包括：提供具有感测区域的半导体衬底；通过掩模层的露出区域将深沟槽结构蚀刻到半导体衬底中，以用于相对于感测区域横向地并且从主表面区域竖直地将深沟槽结构布置到半导体衬底中；通过外延选择性地将掺杂半导体层沉积在深沟槽结构的表面区域上，以用于提供涂敷的深沟槽结构；至少部分地移除掩模层，以用于露出半导体衬底的主表面区域；将半导体封盖层沉积在半导体衬底的主表面区域上；以及将掺杂半导体层的掺杂物向外扩散到加厚的半导体衬底中，其中向外扩散的掺杂物提供了沟槽掺杂区域，该沟槽掺杂区域从掺杂半导体层延伸到加厚的半导体衬底中。

本发明授权用于制造具有掩埋深沟槽结构的传感器设备的方法和传感器设备在权利要求书中公布了：1.一种用于制造具有掩埋深沟槽结构50的传感器设备的方法100，包括： 提供110具有感测区域14的半导体衬底10，所述感测区域14在所述半导体衬底10的主表面区域12下方竖直地延伸到所述半导体衬底10中，其中掩模层16被布置在所述半导体衬底10的所述主表面区域12上， 通过所述掩模层16的露出区域18将深沟槽结构20蚀刻120到所述半导体衬底10中，以用于相对于所述感测区域14横向地并且从所述主表面区域12竖直地将所述深沟槽结构20布置到所述半导体衬底10中， 通过外延选择性地将掺杂半导体层32沉积130在所述深沟槽结构20的表面区域22上，以用于提供涂敷的深沟槽结构30， 至少部分地移除140所述掩模层16，以用于露出所述半导体衬底10的所述主表面区域12， 将半导体封盖层52沉积150在所述半导体衬底10的所述主表面区域12上，其中所述半导体封盖层52覆盖并闭合所述涂敷的深沟槽结构30、并且与所述半导体衬底10共同形成具有所述掩埋深沟槽结构50的加厚的半导体衬底10’，其中所述掩埋深沟槽结构50是空的、或者由气体填充、或者由介电材料完全填充，以及 将所述掺杂半导体层32的掺杂物向外扩散160到所述加厚的半导体衬底10’中，其中所述向外扩散的掺杂物提供了沟槽掺杂区域60，所述沟槽掺杂区域60从所述掺杂半导体层32延伸到所述加厚的半导体衬底10’中。

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