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龙图腾网获悉拉芳德利责任有限公司申请的专利霍尔集成电路以及使用晶片堆叠制造霍尔集成电路的对应方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113169270B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980076570.X，技术领域涉及：H10N52/85；该发明授权霍尔集成电路以及使用晶片堆叠制造霍尔集成电路的对应方法是由卡斯滕·施密特;马里奥·布拉西尼;格哈德·施皮茨尔施佩格;亚历山德罗·蒙塔尼亚设计研发完成，并于2019-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本霍尔集成电路以及使用晶片堆叠制造霍尔集成电路的对应方法在说明书摘要公布了：一种包括竖直霍尔元件的霍尔集成电路，具有在竖直方向上堆叠的第一晶片和第二晶片，该第二晶片包括CMOS基板和布置在CMOS基板上的介电层堆叠，该CMOS基板集成有与竖直霍尔元件耦合的CMOS处理电路，并且该第一晶片包括霍尔传感器层，该霍尔传感器层具有沿竖直方向相对并在垂直于竖直方向的水平面中延伸的第一表面和第二表面，第一晶片和第二晶片通过插入有布置在霍尔传感器层的第一表面上方的介电层进行接合。竖直霍尔元件具有：至少一第一霍尔端子，是布置在霍尔传感器层的第一表面上的第一掺杂区域；至少一第二霍尔端子，是布置在霍尔传感器层的第二表面上的第二掺杂区域，该第二掺杂区域沿竖直方向与第一掺杂区域对齐，并与第一掺杂区域分隔开霍尔传感器层的厚度；深沟槽隔离环，其从第一表面延伸穿过霍尔传感器层延伸到第二表面，并且包围并隔离霍尔传感器层的霍尔传感器区域，其中布置有第一霍尔端子和第二霍尔端子；以及第一导电结构和第二导电结构，其分别耦合到第一霍尔端子、第二霍尔端子并电连接到嵌入在第二晶片堆叠中的相应接触焊盘。

本发明授权霍尔集成电路以及使用晶片堆叠制造霍尔集成电路的对应方法在权利要求书中公布了：1.一种包括竖直霍尔元件100的霍尔集成电路，包括在竖直方向z上堆叠的第一晶片10和第二晶片20，所述第二晶片20包括CMOS基板201和布置在所述CMOS基板201上的介电层堆叠204，所述CMOS基板集成有被配置成与所述竖直霍尔元件100耦合的CMOS处理电路，并且所述第一晶片10包括霍尔传感器层102，所述霍尔传感器层具有第一表面10b和第二表面10d，所述第一表面10b和所述第二表面10d沿所述竖直方向z相对并且在与所述竖直方向z正交的水平面xy中延伸，所述第一晶片10和所述第二晶片20通过插入有布置在所述霍尔传感器层102的第一表面10b上方的介电层105进行接合， 其中，所述竖直霍尔元件100包括： 至少一第一霍尔端子1，是布置在所述霍尔传感器层102的第一表面10b处的第一掺杂区域； 至少一第二霍尔端子4，是布置在所述霍尔传感器层102的第二表面10d处的第二掺杂区域，所述第二掺杂区域沿所述竖直方向z与所述第一掺杂区域对齐，并与所述第一掺杂区域分隔开所述霍尔传感器层102的厚度； 深沟槽隔离环107，从所述第一表面10b穿过所述霍尔传感器层102延伸到所述第二表面10d，并且包围并隔离所述霍尔传感器层102的霍尔传感器区域，其中布置有所述第一霍尔端子1和所述第二霍尔端子4；以及 第一导电结构111和第二导电结构114，分别耦合到所述第一霍尔端子1、所述第二霍尔端子4，并且被配置成电连接到嵌入在所述第二晶片20的所述堆叠204中的相应接触焊盘221、224， 其中，所述竖直霍尔元件100还包括延伸穿过所述霍尔传感器层102的硅通孔121、141、164，所述硅通孔被配置成将所述第一导电结构111和所述第二导电结构114电连接到嵌入在所述第二晶片20的所述堆叠204中的所述接触焊盘221、224。

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