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龙图腾网获悉江苏中科汉韵半导体有限公司申请的专利适用于碳化硅半导体器件的掺杂方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113257666B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110546334.9，技术领域涉及：H01L21/04；该发明授权适用于碳化硅半导体器件的掺杂方法是由黎力;袁述;苗青设计研发完成，并于2021-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本适用于碳化硅半导体器件的掺杂方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种适用于碳化硅半导体器件的掺杂方法。其在碳化硅晶片内制备有第二导电类型掺杂区以及第一导电类型掺杂区，其中，第二导电类型掺杂区包括采用离子注入形成的第二导电类型深掺杂区以及采用激光掺杂形成的第二导电类型表面掺杂区，第二导电类型深掺杂区在碳化硅晶片内的掺杂深度大于第二导电类型表面掺杂区在碳化硅晶片内的掺杂区深度以及第一导电类型掺杂区在碳化硅晶片内的掺杂深度，第二导电类型表面掺杂区位于第二导电类型深掺杂区的上方，且第二导电类型表面掺杂区与第二导电类型深掺杂区邻接。本发明能减少离子注入次数，避免表面浓度下降，有效实现掺杂后的箱型杂质分布，降低了工艺难度，提升了工艺精度。

本发明授权适用于碳化硅半导体器件的掺杂方法在权利要求书中公布了：1.一种适用于碳化硅半导体器件的掺杂方法，提供具有第一导电类型的碳化硅晶片；其特征是：在所述碳化硅晶片内制备有第二导电类型掺杂区以及位于所述第二导电类型掺杂区内的第一导电类型掺杂区，其中，第二导电类型掺杂区包括采用离子注入形成的第二导电类型深掺杂区以及采用激光掺杂形成的第二导电类型表面掺杂区，第二导电类型深掺杂区在碳化硅晶片内的掺杂深度大于第二导电类型表面掺杂区在碳化硅晶片内的掺杂区深度以及第一导电类型掺杂区在碳化硅晶片内的掺杂深度，第二导电类型表面掺杂区位于第二导电类型深掺杂区的上方，且第二导电类型表面掺杂区与第二导电类型深掺杂区邻接； 在制备第二导电类型表面掺杂区时，在碳化硅晶片上设置第二导电类型掺杂膜层，对第二导电类型掺杂膜层进行激光照射后，以能在碳化硅晶片内得到第二导电类型激光掺杂区，并能利用所述第二导电类型激光掺杂区制备得到第二导电类型表面掺杂区； 在制备第二导电类型深掺杂区时，在碳化硅晶片上设置掩膜层，选择性地掩蔽和刻蚀所述掩膜层后，以能得到贯通所述掩膜层的离子注入窗口，利用所述掩膜层以及离子注入窗口，采用离子注入工艺后能在碳化硅晶片内制备得到第二导电类型深掺杂区； 所述第二导电类型深掺杂区在碳化硅晶片内的掺杂深度大于500nm； 第一导电类型掺杂区采用激光掺杂工艺制备得到；在制备第一导电类型掺杂区时的激光光斑大小与制备第二导电类型表面掺杂区时的激光光斑大小不同。

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