株式会社迪思科中村胜获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利晶片的加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113539787B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110404069.0，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权晶片的加工方法是由中村胜设计研发完成，并于2021-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶片的加工方法在说明书摘要公布了：提供晶片的加工方法，激光光线照射所产生的变质物不会残留在晶片的外周，搬送时晶片不会破损。该方法包含：改质层形成工序，从晶片2的背面2b侧将对于晶片具有透过性的波长的激光光线LB的聚光点定位于晶片的与外周剩余区域10对应的内部而照射激光光线，在未达到完工厚度的位置形成环状的改质层24；保护部件配设工序，在晶片的正面2a上配设保护部件14；改质层去除工序，将切削刀具34从晶片的背面定位于与改质层对应的区域而进行切削，去除改质层并使解理面38到达晶片的正面；环去除工序，以解理面为起点将外周剩余区域的环40去除；和磨削工序，对晶片的背面进行磨削直至达到完工厚度。
本发明授权晶片的加工方法在权利要求书中公布了：1.一种晶片的加工方法，该晶片在正面上形成有多个器件被分割预定线划分的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，其中， 该晶片的加工方法包含如下的工序： 改质层形成工序，从晶片的背面侧将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于晶片的与该外周剩余区域对应的内部而对晶片照射激光光线，在未达到晶片的完工厚度的位置形成环状的改质层； 保护部件配设工序，在该改质层形成工序之前或之后，在晶片的正面上配设保护部件； 改质层去除工序，将切削刀具从晶片的背面定位于与改质层对应的区域而对晶片进行切削，将改质层全部去除，并且使解理面到达晶片的正面； 环去除工序，以该解理面为起点而将该外周剩余区域的环去除；以及 磨削工序，在该改质层去除工序和该环去除工序之后对晶片的背面进行磨削直至达到晶片的完工厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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