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龙图腾网获悉格科微电子(上海)有限公司申请的专利背照式图像传感器芯片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113809103B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010552905.5，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权背照式图像传感器芯片及其制造方法是由李杰;赵立新;付文;许乐;李玮设计研发完成，并于2020-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本背照式图像传感器芯片及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种图像传感器芯片及其制造方法，在半导体衬底背面形成台阶状通孔或台阶状沟槽，在所述台阶状通孔或台阶状沟槽中填充导电层以形成背面的走线或者同时形成焊盘，降低了半导体衬底背面高度差，减小了后续工艺中对像素阵列边缘的彩色滤光片及微透镜形貌的影响，提高了工艺可靠性，降低了偏色风险，台阶状通孔或台阶状沟槽侧壁的介质层厚度可控，能够降低漏电风险，由于不用考虑走线、焊盘本身厚度对高度差的影响，可以通过增加走线、焊盘的厚度降低电阻，带来更好的器件电学性能。由于采用本发明方法形成的台阶状通孔或台阶状沟槽的形貌和宽度易于控制，不会造成过多的芯片面积浪费。

本发明授权背照式图像传感器芯片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种背照式图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，包括： 提供具有正面和背面的半导体衬底； 完成图像传感器正面工艺形成金属互联结构； 在所述半导体衬底背面形成台阶状通孔或台阶状沟槽以暴露出所述正面工艺形成的部分金属互联结构，包括，先形成第一开口，再在第一开口中形成第二开口；或者先形成第二开口，再在第二开口周围形成第一开口，其中第二开口的底部低于第一开口的底部； 在所述台阶状通孔或台阶状沟槽中填充导电层以形成沟槽状的背面的走线，包括，在所述半导体衬底背面依次形成第一导电层和第二导电层，以第一导电层为刻蚀停止层，去除位于台阶状通孔或台阶状沟槽之外的第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层均为沟槽状，其中所述第二导电层在水平面的投影图形位于所述第一开口在水平面的投影图形的内部，所述第二开口在水平面的投影图形位于所述第二导电层在水平面的投影图形的内部，所述第二导电层厚度为6000-12000Å； 在填充导电层之前，在第一开口底部和侧壁、第二开口侧壁覆盖介质层； 通过调整所述介质层、所述导电层的厚度、所述第一开口的深度，使得走线区与半导体衬底背面的其他区域表面高度差小于0.5μm。

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