爱思开海力士有限公司徐东益获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113851465B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110271975.8，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权半导体器件是由徐东益;李世昊设计研发完成，并于2021-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件可以包括：第一电极；第二电极；以及多层叠层，其介于第一电极与第二电极之间并且包括晶种层和高k电介质层，其中，晶种层和高k电介质层各自可以具有岩盐晶体结构，以及其中高k电介质层可以呈现出五十50或更高的介电常数k。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一电极； 第二电极；以及 多层叠层，其介于所述第一电极与所述第二电极之间并且包括晶种层和高k电介质层， 其中，所述晶种层和所述高k电介质层各自具有岩盐晶体结构，以及 其中，所述高k电介质层呈现出50或更高的介电常数k， 其中，所述多层叠层还包括设置在所述高k电介质层之上的附加的高k电介质层，以及 其中，所述附加的高k电介质层呈现出比所述高k电介质层低的介电常数k。
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