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龙图腾网获悉绍兴同芯成集成电路有限公司申请的专利一种利用缓坡状背面进行IGBT晶圆加工的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114093816B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111342268.X，技术领域涉及：H01L21/78；该发明授权一种利用缓坡状背面进行IGBT晶圆加工的方法是由严立巍;符德荣;陈政勋设计研发完成，并于2021-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用缓坡状背面进行IGBT晶圆加工的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种利用缓坡状背面进行IGBT晶圆加工的方法，包括以下步骤：S1、完成晶圆正面金属制程前的工艺；S2、蚀刻晶圆背面形成缓坡；S3、完成晶圆背面制程；S4、背面涂布聚酰亚胺；S5、制作正面金属制程；S6、正面涂布聚酰亚胺，通过显影、固化、蚀刻后裸露出切割道；S7、通过蚀刻、激光完成切割，除去正面的聚酰亚胺；S8、贴附在切割模框上，除去背面聚酰亚胺，使晶粒分离。本发明在晶圆背面做缓坡状处理可以在边缘提供应力支撑，克服了背面回火温度的限制，同时本发明晶圆背面涂布聚酰亚胺，可以缓冲金属厚膜应力，确保薄晶圆在厚金属镀膜后不至翘曲破损。

本发明授权一种利用缓坡状背面进行IGBT晶圆加工的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用缓坡状背面进行IGBT晶圆加工的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、完成晶圆正面金属制程前的工艺； S2、将晶圆正面粘附研磨胶带，然后蚀刻晶圆背面使边缘形成缓坡状晶圆结构； S3、移除研磨胶带，完成晶圆背面制程； S4、在晶圆背面缓坡处涂布聚酰亚胺使背面整平； S5、翻转至晶圆正面，制作正面金属制程； S6、在晶圆正面涂布聚酰亚胺，通过光刻、显影后裸露出切割道； S7、将晶圆背面贴附在第一切割模框上，通过电浆蚀刻切割道至背面金属层，再通过激光切断背面金属，然后除去正面的聚酰亚胺； S8、将切割好之后的晶圆正面贴附在第二切割模框上，然后将第一切割模框、晶圆和第二切割模框整体翻转，通过紫外光照射移除第一切割膜框黏性，取下第一切割模框，后通过氧气电浆蚀刻除去背面缓坡处的聚酰亚胺； S9、通过紫外光照射晶圆边缘缓坡状区域，移除第二切割模框对应缓坡状区域的黏性，除去四周环形缓坡状边缘，然后将晶圆背面贴附在第三切割模框上，整体翻转第二切割模框、晶圆和第三切割模框，再通过紫外光照射移除第二切割膜框黏性，取下第二切割模框即可； 所述步骤S2中利用研磨及边缘气环或保护液蚀刻方式于晶圆背面边缘形成缓坡状晶圆结构，减薄后晶圆厚度为40-150μm。

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