华为技术有限公司郑健华获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种成像器件、用于对成像器件供电的方法以及相关设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114127936B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201980098625.7,技术领域涉及:H10F39/18;该发明授权一种成像器件、用于对成像器件供电的方法以及相关设备是由郑健华;黄婷婷设计研发完成,并于2019-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种成像器件、用于对成像器件供电的方法以及相关设备在说明书摘要公布了:本申请提供一种成像器件、用于对成像器件供电的方法以及相关设备,该成像器件包括半导体衬底,所述半导体衬底的两侧设置第一阱和第二阱,所述第一阱的表面依次设置有第一绝缘介质层和控制栅电极,所述控制栅电极被施加的电压的大小和所述第一阱所存储的电荷的数量呈正相关关系。在不同的光照强度的环境下,可对所述控制栅电极施加不同大小的电压,且在所述控制栅电极上所施加的电压越大,则所述第一阱的电容容量越大,以使成像器件的满阱容量能够满足不同的光照环境。
本发明授权一种成像器件、用于对成像器件供电的方法以及相关设备在权利要求书中公布了:1.一种成像器件,其特征在于,包括半导体衬底,所述半导体衬底的两侧分别通过离子注入掺杂设置第一阱和第二阱,所述半导体衬底和所述第二阱具有第一掺杂类型,所述第一阱具有第二掺杂类型; 所述第一阱的表面依次设置有第一绝缘介质层和控制栅电极,所述控制栅电极被施加的电压的大小和所述第一阱所存储的电荷的数量呈正相关关系。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人华为技术有限公司,其通讯地址为:518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议,有机会获取IP积分或其他奖励