美光科技公司A·特罗亚获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利存储器装置和用于监测存储器装置的性能的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114303200B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980096790.9，技术领域涉及：G11C29/16；该发明授权存储器装置和用于监测存储器装置的性能的方法是由A·特罗亚;A·蒙代洛设计研发完成，并于2019-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置和用于监测存储器装置的性能的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及用于检查非易失性存储器装置的读取阶段的方法，所述非易失性存储器装置包含至少一存储器单元阵列并且具有相关联的解码和感测电路系统和存储器控制器，所述方法包括：将至少内部块变量和已知模式存储于与存储器块相关联的虚设行中；执行所述虚设行的读取；将所述读取的结果与所述已知模式进行比较；基于所述比较的所述结果修整所述读取的参数和或调换所使用的存储器块。
本发明授权存储器装置和用于监测存储器装置的性能的方法在权利要求书中公布了：1.一种包含存储器单元阵列与相关联的解码和感测电路系统和存储器控制器的非易失性存储器装置，其中所述存储器单元阵列包括： -多个子阵列； -每个子阵列中的多个存储器块；以及 -用于每个相应块的虚设行，所述虚设行用于存储读取阶段的内部块变量和第一已知模式，其中每个相应虚设行经历归因于所述非易失性存储器装置的温度和老化引起的相同漂移，且其中所述存储器控制器经配置以： 确定将所述第一已知模式存储在至少一个相应虚设行中的最差编程单元的电压阈值；和 将第二已知模式写入所述至少一个相应虚设行，其中所述第二已知模式包括对应于放置在存储所述第一已知模式的所述最差编程单元的所述电压阈值周围的电压分布的信息。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励